何鑫
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 几种MEMS电容传感器读出电路的分析和对比
- 随着IPHONE手机以及WII体感游戏的普及,MEMS传感器具有广大的市场和研发趋势.作为一种典型的MEMS传感器,电容式MEMS传感器以及后端的读出电路也得到了更多的关注和重视.首先介绍了电容式MEMS传感器的特点和应...
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- 关键词：电容传感器读出电路结构特征输出性能
- 文献传递
- 针对不同类型热敏MEMS器件的高性能前置放大器设计被引量：1
- 2012年
- 针对不同应用的热敏MEMS器件的界面电路设计高性能放大器,提出建立与CMOS工艺兼容的热敏MEMS器件前置放大器的IP库的概念。通过提取相关热敏器件的典型参数,设计低功耗、低噪声且分别符合精度和速度等特殊要求的前置放大器,对3种不同结构的放大器进行分析研究,并利用Cadence软件,基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺库进行设计仿真。仿真结果表明:3种不同结构的放大器可以用于相应性能要求的热敏MEMS器件中。
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- 关键词：前置放大器CMOS
- 利用伪随机斩波技术的微弱MEMS信号检测电路
- 2014年
- 作为一种提高信号增益和降低电路噪声失调的技术手段,斩波放大技术能够比较理想地降低失调和噪声,但是在调制解调过程中,由于开关尖峰和电荷注入效应的影响,调制频率附近的纹波即残余失调和残余的波动幅度仍然造成干扰。为了进一步减小这种失调的影响,提出伪随机斩波技术,利用伪随机信号的相关性可以将周围环境噪声降低,尤其是残余失调的干扰,因此伪随机斩波技术不仅可以将1/f噪声和运放失调降低,还可以有助于减小残余失调。利用上述方法的检测方法经过设计,电路具有120 nV/Hz的输入噪声,闭环增益40 dB,残余失调和1/f噪声降低到理想效果。
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- 关键词：MEMS
- 二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计被引量：3
- 2013年
- 针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5μm 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100μV以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。
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- 关键词：低噪声低失调读出电路
