黄圣
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
- 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
- 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱
