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郭美澜

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：郑州大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇原子
  • 6篇原子数
  • 6篇透明导电
  • 6篇透明导电膜
  • 4篇氧化锡
  • 4篇溅射
  • 4篇溅射沉积
  • 4篇二氧化锡
  • 2篇等离子体
  • 2篇电器件
  • 2篇氧化钛
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇溅射靶材
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光伏器件

机构

  • 6篇郑州大学

作者

  • 6篇邵国胜
  • 6篇胡俊华
  • 6篇郭美澜
  • 4篇宋安刚
  • 4篇韩小平
  • 2篇陆柳

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法
本发明公开了一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，所述铌掺杂二氧化锡透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 63％～70％，其余为Nb和Sn；其中，Nb的原子数为Nb、Sn原子总数的1％～9％。该透明导电膜是采用...
邵国胜胡俊华郭美澜宋安刚韩小平
文献传递
一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法
本发明公开了一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 62％～70％，其余为Sn和掺杂元素；所述掺杂元素为B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种，掺杂元素的原子数为S...
邵国胜郭美澜韩小平胡俊华
一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法
本发明公开了一种p型掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 62％～70％，其余为Sn和掺杂元素；所述掺杂元素为B、Al、Ga、In、Zn中的任意一种或多种，掺杂元素的原子数为S...
邵国胜郭美澜韩小平胡俊华
文献传递
一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法
本发明公开了一种铌掺杂二氧化锡透明导电膜及其制备方法，所述铌掺杂二氧化锡透明导电膜由以下原子数百分比的组分组成：O 63％～70％，其余为Nb和Sn；其中，Nb的原子数为Nb、Sn原子总数的1％～9％。该透明导电膜是采用...
邵国胜胡俊华郭美澜宋安刚韩小平
一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜
本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、T...
邵国胜胡俊华陆柳宋安刚郭美澜付振亚
文献传递
一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜
本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、T...
邵国胜胡俊华陆柳宋安刚郭美澜付振亚
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