郝正同
- 作品数：17 被引量：34H指数：3
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 用算术几何平均值法求单摆周期近似解
- 2011年
- 采用算术几何平均值法研究了单摆周期的近似解,得出了简洁而严密的单摆周期近似解计算公式,并与其它的近似解进行了比较。结果表明:采用算术几何平均值法计算的单摆近似解比其它近似解有较高的精确度。该方法也适合其它涉及椭圆积分的物理问题的求解。
- 郝正同彭仁明
- 关键词：单摆周期椭圆积分近似解
- 金属纳米粒子配分函数形式的详细推导被引量：2
- 2008年
- 运用热力学、统计物理学、复变积分等理论,对金属纳米粒子的热力学配分函数形式进行了详细的推导,得出了与随机矩阵理论修正项相匹配、适合数值计算的最终公式形式.
- 何健陈志谦蔡凤云郝正同刘国跃
- 关键词：金属纳米粒子配分函数磁场
- 基于自旋轨道耦合效应的能带分裂机理
- 2012年
- 从理论上导出了自旋与p轨道耦合效应使能带分裂的具体表达式,阐明了能带分裂的物理机理,讨论了自旋轨道耦合效应使价带顶分裂后能带结构的特征。其结果有助于更深刻的理解自旋轨道耦合引起能带分裂的机理,对研究半导体光学选择定择、输运性质及应变量子阱中能带的分裂也提供了重要的理论基础。
- 郝正同
- 关键词：自旋轨道耦合
- Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。
- 杨子义郝正同谢泉
- 关键词：电子结构磁控溅射退火
- 运用Java3D实现三维实时物理模拟动画被引量：1
- 2006年
- 对于实时物理模拟动画,可通过Java3D来实现三维效果与交互性,而数值运算及界面设计可通过Java语言的相关包(javax.vecm ath和AW T及Sw ing组件)来实现,动画的实时性通过多线程与基于冲量的单步的方法来满足,形体间的碰撞检测通过良好快速的碰撞检测算法(如V-C lip)实现.
- 朱刚郝正同陈擘威
- 关键词：JAVA3D实时动画物理模拟碰撞检测
- 基于TD-SCDMA的下行同步跟踪算法的建立
- 2012年
- 首先描述了一种TD-SCDMA系统中的下行同步跟踪算法,用SYNC-DL码前的16chipGP、SYNC-DL码部分64chip、SYNC-DL码后的16chipGP共96chip长度的数据段,和本地的SYNC-DL码做滑动相关,计算噪声门限,将超过噪声门限的第一条有效径的位置作为系统的定时位置。仿真分析表明,该方法可以大幅提高多径衰落信道、生灭信道等场景下的接收机BER性能。
- 彭仁明郝正同
- 关键词：TD-SCDMA
- Si基薄膜的X射线衍射表征研究
- 2010年
- 简述了X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究了Si基薄膜XRD表征的特征。研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异;并可能观测到Si基片的二级衍射峰。研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义。
- 郝正同杨子义
- 关键词：X射线衍射
- 一维方势阱中束缚态粒子波函数和能级的求解被引量：3
- 2011年
- 采用矩阵方程表述的方法解出了一维方势阱的波函数和能级,借助计算机软件图示了解的特征.
- 郝正同
- 关键词：薛定谔方程方势阱波函数能级
- 《单片机原理及应用》一体化教学模式的研究与实践被引量：4
- 2011年
- 随着高等教育的发展,现有单片机原理及应用课程教学模式已经不能与之相适应,该文提出了一种新的教学模式:"工学结合,项目驱动"的一体化教学,将理论与实践教学融为一体,从教学体制、教学内容、教学模式、教学方法和教学评价等方面进行了详细的阐述。实践证明这种教学模式很好地解决了教学中教与学的关系,在课程教学中引入工程训练内容,充分体现学生学习的主观能动性,更好地适应应用型本科的教学工作,对其它课程具有一定的借鉴意义。
- 彭仁明郝正同刘刚
- 关键词：教学模式工学结合一体化教学
- MSi(M=Na,K)电子结构的第一性原理研究
- 2010年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对NaSi和KSi的电子结构进行了理论计算,能带结构计算表明NaSi是一种间接带隙半导体,禁带宽度为1.32eV;KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV;并详细讨论了NaSi和KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度。
- 郝正同
- 关键词：第一性原理电子能带结构态密度
