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田艺
作品数:
1
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供职机构:
北京大学微电子学研究院
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发文基金:
国家科技重大专项
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相关领域:
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合作作者
许晓燕
北京大学微电子学研究院
黄如
北京大学微电子学研究院
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许晓燕
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田艺
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固体电子学研...
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1篇
2012
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Halo注入对50nm NMOS器件性能的影响
2012年
利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数(注入角度、剂量、能量)对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂量的增大会使器件的DIBL特性改善,阈值电压提高;而Halo注入能量的增加会引起器件的DIBL特性变差,阈值电压有所降低,并且较注入角度和注入剂量相比,Halo注入能量的工艺窗口要小。Halo注入参数的变化对Ion和Ioff的影响不同,所以器件开关比随Halo注入角度、剂量和能量的增加呈现非单调性改变。器件的结电容则随Halo注入角度增大而下降,随注入剂量增大而上升,随注入能量的增加先上升后下降。对Halo注入各工艺参数影响器件性能的机理进行了分析,并实验制备了纳米尺度的Halo结构NMOS器件。
田艺
许晓燕
黄如
关键词:
HALO
结电容
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