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姚和平

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电气工程交通运输工程自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 2篇低压差
  • 2篇低压差线性稳...
  • 2篇稳压
  • 2篇稳压器
  • 2篇线性稳压器
  • 2篇抗辐射
  • 1篇带隙基准
  • 1篇动态阈值
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇阈值
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇加固型
  • 1篇高可靠
  • 1篇BCD工艺
  • 1篇CMOS
  • 1篇EMC
  • 1篇EMI
  • 1篇ESD
  • 1篇MOS管

机构

  • 4篇西安微电子技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 4篇姚和平
  • 3篇刘智
  • 3篇杨力宏
  • 1篇梁希
  • 1篇刘娜

传媒

  • 3篇太赫兹科学与...
  • 1篇空间电子技术

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2017
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
抗辐射加固CMOS基准设计被引量：1
2017年
研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比,得到了带隙电压基准电路设计准则;采用DTMOS和抗辐射设计加固技术,完成了抗辐射加固CMOS基准设计。辐照试验结果表明,设计的抗辐射加固CMOS基准的抗总剂量能力达到了300 krad(Si)。
刘智杨力宏姚和平梁希
关键词：带隙基准
低压差线性稳压器瞬时电离辐射试验方法被引量：1
2017年
在核爆环境下,要求低压差线性稳压器(LDO)的输出电压能够快速恢复。本文定性分析了瞬时电离辐射后LDO的输出电压恢复时间与负载电阻的关系;在"强光一号"加速器上开展了相应的瞬时电离辐射效应试验研究。对比分析不同负载条件下的输出电压恢复时间,发现两者密切相关,通过合理调整输出负载电阻值,可以有效地减小瞬时电离辐射后电路的恢复时间。辐射试验结果表明,经过瞬时电离剂量率为1.0×10^(11 rad(Si)/s辐照后,采用适当负载的LDO的输出电压恢复时间可小于100μs。
杨力宏姚和平刘智赵光炜刘娜时应璇
关键词：低压差线性稳压器
一种抗辐射加固型低压差线性稳压器的研制被引量：3
2017年
介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。
姚和平杨力宏刘智时应璇赵光炜
关键词：低压差线性稳压器总剂量辐射
一款基于BCD工艺的低EMI、高可靠CAN总线收发器的设计被引量：1
2019年
随着我国重点关注汽车电子产业和大力发展航天航空工业的计划,开发具有自主知识产权、高可靠、低成本的CAN系统芯片具有十分重要的意义。文章设计实现了一款基于BCD工艺的低EMI、高可靠CAN总线收发器电路;提出了基于BCD工艺的ESD保护结构、电流延迟控制和版图降噪设计等技术。采用0.5μm BCD工艺进行了流片验证,结果表明:电路符合IS011898规范,ESD电压达3000V以上,通频带内共模噪声幅度为-86dB,具有较好的电磁兼容(EMC)性能,可应用于高速CAN总线通讯中。
杨力宏张乐玉姚和平雒宝花时应璇
关键词：BCDESDEMC
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