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梁希

作品数：9 被引量：6H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇带隙基准
  • 5篇电路
  • 4篇基准电压
  • 2篇低温漂
  • 2篇低值
  • 2篇电路结构
  • 2篇调整管
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇源极
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇曲率补偿
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量辐射
  • 2篇误差放大器
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管结构
  • 2篇环路

机构

  • 9篇西安微电子技...

作者

  • 9篇刘智
  • 9篇梁希
  • 5篇姜洪雨
  • 2篇张强
  • 1篇刘文平
  • 1篇杨力宏
  • 1篇姚和平

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路
本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路，包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块；误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端；反相端连接基准电压源产生的参考电压；输出调整管...
刘智梁希姜洪雨葛梅
文献传递
一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构
本发明公开一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构，包括p型衬底和设置在p型衬底内的n阱；p型衬底内设置与n阱间隔的第二p+区；n阱内分别间隔设置有第一p+区和n+注入区；第一p+区外环绕设置有环形多晶硅栅。本发明与常规CMOS...
刘智姜洪雨葛梅梁希
文献传递
一种由低值基准生成高值基准的电路结构
本发明公开一种由低值基准生成高值基准的电路结构，包括PMOS晶体管MP1和MP2，NMOS晶体管MN1和MN2，电阻R1；PMOS晶体管MP1栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极连接NMOS晶体管MN1漏极；PMOS...
刘智张强葛梅梁希
一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路
本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路，包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块；误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端；反相端连接基准电压源产生的参考电压；输出调整管...
刘智梁希姜洪雨葛梅
文献传递
抗辐射加固CMOS基准设计被引量：1
2017年
研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比,得到了带隙电压基准电路设计准则;采用DTMOS和抗辐射设计加固技术,完成了抗辐射加固CMOS基准设计。辐照试验结果表明,设计的抗辐射加固CMOS基准的抗总剂量能力达到了300 krad(Si)。
刘智杨力宏姚和平梁希
关键词：带隙基准
一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构
本发明公开一种抗总剂量辐射PNP晶体管结构，包括p型衬底和设置在p型衬底内的n阱；p型衬底内设置与n阱间隔的第二p+区；n阱内分别间隔设置有第一p+区和n+注入区；第一p+区外环绕设置有环形多晶硅栅。本发明与常规CMOS...
刘智姜洪雨葛梅梁希
文献传递
一种由低值基准生成高值基准的电路结构
本发明公开一种由低值基准生成高值基准的电路结构，包括PMOS晶体管MP1和MP2，NMOS晶体管MN1和MN2，电阻R1；PMOS晶体管MP1栅极连接偏置电压，源极连接电源电压，漏极连接NMOS晶体管MN1漏极；PMOS...
刘智张强葛梅梁希
文献传递
高精度、快速瞬态响应LDO电路设计被引量：1
2018年
文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造。测试结果表明,输出误差小于1%,瞬态响应特性与国外产品相当。
刘智姜洪雨梁希葛梅
关键词：LDO带隙基准高阶曲率补偿
一种高阶曲率补偿带隙基准的原理与实现被引量：4
2012年
基于指数型和二阶曲率补偿技术,设计了一个高阶曲率补偿带隙基准.在电路结构上采用电流镜和负反馈回路代替运放反馈回路,不仅避免了运放的失调电压所引起的输出误差和温漂问题,而且使得电路相对简单,更适于电路系统集成.;利用二阶曲率补偿和双极晶体管的电流增益β随温度成指数型变化的规律,对输出电压温度特性进行补偿,提高了的温度稳定性.基于0.6μm BiCMOS工艺设计了基准电路和版图.仿真、测试结果表明:基准在ΔV=2.8V的电源电压幅度范围下,具有0.08mV/V的电源抑制特性.在-55～125℃的范围内Vref的温度系数为5×10-6/℃.
梁希刘文平刘智
关键词：带隙基准二阶曲率补偿
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