朱赛宁
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- WSI Polycide工艺的研究被引量：2
- 2012年
- 文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。
- 朱赛宁聂圆燕陈海峰
- 关键词：WSICAP应力
- PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究被引量：5
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。
- 汪文君孙建洁朱赛宁张世权
- 关键词：氮化硅薄膜退火
