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汪文君

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅烷
  • 1篇氨气
  • 1篇PECVD法

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张世权
  • 1篇孙建洁
  • 1篇朱赛宁
  • 1篇汪文君

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究被引量：5
2013年
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。
汪文君孙建洁朱赛宁张世权
关键词：氮化硅薄膜退火
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