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吴少雄

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子学
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇探测器
  • 1篇能级
  • 1篇紫外光电探测...
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇P-I-N

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇陈厦平
  • 1篇蔡加法
  • 1篇吴正云
  • 1篇吴少雄

传媒

  • 1篇量子电子学报

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究
2016年
分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.
蔡加法陈厦平吴少雄吴正云
关键词：光电子学4H-SIC深能级缺陷
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