王晓华
- 作品数：2 被引量：12H指数：1
- 供职机构：中国科学院激发态物理重点实验室更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响被引量：11
- 2003年
- 用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。
- 王晓华范希武李柄生张吉英刘益春吕有明申德振
- 关键词：SI衬底ZNO薄膜氮化等离子增强化学气相沉积
- 在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性被引量：1
- 2004年
- 在经NH3 等离子体氮化的Si(10 0 )衬底上 ,用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层 ,经X射线衍射 (XRD)测量 ,得到了单一取向的ZnO(0 0 0 2 )膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积 (LP MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量 ,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见 ,在 5 2 0nm附近有很强的发光 ,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构 ,其光致发光 (PL)谱未见发光。可见 ,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好 ,是一种在Si衬底上生长Ⅱ
- 王晓华范希武单崇新张振中刘益春
- 关键词：薄膜物理学光学特性
