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王昊

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:天津市应用基础与前沿技术研究计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇光谱
  • 1篇带隙
  • 1篇电池研究
  • 1篇数值模拟
  • 1篇太阳
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透射
  • 1篇透射光
  • 1篇透射光谱
  • 1篇离子轰击
  • 1篇宽光谱
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光学
  • 1篇光学常数
  • 1篇轰击
  • 1篇SI1-XG...
  • 1篇ASA

机构

  • 3篇南开大学

作者

  • 3篇赵颖
  • 3篇张建军
  • 3篇倪牮
  • 3篇王昊
  • 2篇曹宇
  • 1篇李天微
  • 1篇马峻
  • 1篇黄振华
  • 1篇刘群

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第13届中国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于透射光谱确定微晶硅锗薄膜的光学常数被引量:2
2014年
结合多层结构模型以及柯西色散公式,给出一种由透射谱提取微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)薄膜光学常数的Matlab方法。与Swanepeol方法、PUMA(pointwise unconstrained minimization approach)方法相比,Matlab法通过透射率极值的位置而非幅值计算折射率,能够避免幅值大小偏差所造成的影响,得到更准确的光学常数,拟合精度能提高1个数量级。计算所得不同Ge含量的光学常数表明,μc-Si1-x Gex:H在整个波长范围内有更高的吸收系数和折射率,并且二者随Ge含量增加而增加。由ASA(advanced semiconductor analysis)进一步计算表明,相对于μc-Si:H电池,当本征吸收层较薄时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池从400nm开始即能表现出更高的量子效率(QE)响应,当本征吸收层较厚时相同厚度的μc-Si1-x Gex:H电池在近红外区域的QE响应依然优势明显。并且,在获得相同电流密度的情况下,μc-Si1-x Gex:H电池能够明显降低本征吸收层厚度,因而能够有效降低Si基薄膜太阳电池的制造成本。
黄振华张建军倪牮李天微曹宇王昊赵颖
关键词:光学常数ASA
单结微晶硅锗电池的光电模拟研究
本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响...
黄振华张建军倪牮曹宇王昊赵颖
关键词:光电性能数值模拟
文献传递
宽光谱窄带隙微晶硅锗太阳电池研究被引量:1
2015年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-x Gex:H)材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能。在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1-xGex:H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77%的μc-Si1-xGex:H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300nm,此时电池效率达到3.16%。
刘群倪牮张建军马峻王昊赵颖
关键词:离子轰击太阳电池
共1页<1>
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