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李鼎

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江海洋学院数理与信息学院物理系更多>>
发文基金：舟山市科技计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多量子阱
  • 1篇时间分辨谱
  • 1篇量子
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇发光特性研究
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇变温

机构

  • 1篇厦门大学
  • 1篇浙江海洋学院

作者

  • 1篇薛江蓉
  • 1篇宿刚
  • 1篇吴正云
  • 1篇孔令民
  • 1篇姚建明
  • 1篇李鼎
  • 1篇张野芳

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究被引量：1
2008年
采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱。变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10～300K),发光强度只减小到1/3左右。分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的。随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素。还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因。
孔令民李鼎张野芳宿刚薛江蓉姚建明吴正云
关键词：INGAN/GAN多量子阱光致发光时间分辨谱
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共1页<1>
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