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曾严

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇解析模型
  • 3篇NBTI效应
  • 2篇低频
  • 2篇坐标轴
  • 2篇阈值电压
  • 2篇模型参数
  • 2篇模型参数提取
  • 2篇晶体管
  • 2篇快速捕获
  • 2篇方程组
  • 2篇MOS晶体管
  • 2篇参数提取方法
  • 2篇NBTI
  • 1篇偏压
  • 1篇可靠性
  • 1篇负偏压温度不...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 5篇华东师范大学

作者

  • 5篇曾严
  • 4篇李小进
  • 4篇石艳玲
  • 2篇王燕玲
  • 2篇孙亚宾

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2018
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法及系统
本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法，包括以下步骤：步骤一：获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论和H<Sub>2</Sub>的锁定效应，得出描述...
李小进张珀菁曾严孙亚宾石艳玲
文献传递
一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法
本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R‑D模型参数提取方法，包括如下步骤：线性变换确定拟合区间步骤：对测试数据的坐标系进行转换，并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间；粗略提取模型参数所在范围步骤：设置待拟合的模型参...
李小进王燕玲曾严石艳玲
文献传递
一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法及解析系统
本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法，包括以下步骤：步骤一：获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论和H<Sub>2</Sub>的锁定效应，得出描述...
李小进张珀菁曾严孙亚宾石艳玲
文献传递
一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法
本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R?D模型参数提取方法，包括如下步骤：线性变换确定拟合区间步骤：对测试数据的坐标系进行转换，并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间；粗略提取模型参数所在范围步骤：设置待拟合的模型参...
李小进王燕玲曾严石艳玲
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纳米工艺代MOS器件的NBTI效应及其可靠性模型研究
负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)主要由界面缺陷和发生在栅电介质缺陷中的空穴俘获导致,会引起PMOS晶体管的阈值电压、线性和饱和漏极电流、跨导以及亚...
曾严
关键词：可靠性负偏压温度不稳定性解析模型
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