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徐克峰

作品数:8 被引量:15H指数:1
供职机构:南京航空航天大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇SIC
  • 4篇驱动电路
  • 4篇JFET
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电源
  • 2篇断电
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇碳化硅
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇桥臂
  • 2篇切断电源
  • 2篇开关
  • 2篇功耗
  • 2篇辅助电路
  • 2篇高速开关
  • 1篇电感
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子

机构

  • 8篇南京航空航天...
  • 2篇河海大学

作者

  • 8篇徐克峰
  • 7篇秦海鸿
  • 4篇徐华娟
  • 4篇聂新
  • 3篇付大丰
  • 2篇戴卫力
  • 1篇钟志远
  • 1篇赵朝会
  • 1篇王丹
  • 1篇朱梓悦
  • 1篇刘清
  • 1篇张英
  • 1篇王丹

传媒

  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇上海电机学院...

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路
本发明所解决的技术问题在于提供一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路。当驱动电源故障导致桥臂直通时,自保护电路中辅助电容放电,在SiC JFET栅源极施加一个负向关断电压,迫使其快速关断,使控制器能够在安全时...
徐克峰秦海鸿徐华娟付大丰聂新
文献传递
一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路
本发明所解决的技术问题在于提供一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路。当驱动电源故障导致桥臂直通时,自保护电路中辅助电容放电,在SiC JFET栅源极施加一个负向关断电压,迫使其快速关断,使控制器能够在安全时...
徐克峰秦海鸿徐华娟付大丰聂新
文献传递
一种具有直通保护的常通型SiC JFET驱动电路
本发明所解决的技术问题在于提供一种具有直通保护的常通型SiC JFET驱动电路,通过在驱动电路中增加自保护电路,使其在直通故障时对下管SiC JFET的栅极施加一个负向安全偏置电压,迫使下管SiC JFET快速关断,达到...
徐克峰秦海鸿徐华娟聂新
文献传递
基于SiC MOSFET的270V直流固态断路器的研制
随着经济的快速发展,能源需求大大增加,人们对电能质量的要求不断提高,而直流供配电线路损耗低、可靠性高,有望成为未来电能传输的重要形式。断路器是输配电线路中接通、断开负载的一个关键器件,其性能优劣直接影响系统的稳定性和可靠...
徐克峰
关键词:固态断路器电气特性电能传输
基于碳化硅器件的全桥变换器研究
与硅MOSFET 相比,由于具有阻断电压高、通态电阻小、开关速度快等优势,碳化硅MOSFET 有助于显著提高变换器性能。但是由于材料、结构、应用场合等方面的差异,碳化硅MOSFET在具有较优参数特性的同时,也存在门极开启...
钟志远赵朝会秦海鸿徐克峰马策宇
关键词:碳化硅MOSFET全桥变换器
一种具有直通保护的常通型SiC JFET驱动电路
本发明所解决的技术问题在于提供一种具有直通保护的常通型SiC?JFET驱动电路,通过在驱动电路中增加自保护电路,使其在直通故障时对下管SiC?JFET的栅极施加一个负向安全偏置电压,迫使下管SiC?JFET快速关断,达到...
徐克峰秦海鸿徐华娟聂新
文献传递
寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响被引量:13
2017年
随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响规律。在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计。
秦海鸿朱梓悦戴卫力徐克峰付大丰王丹
关键词:电力电子碳化硅寄生电感
SiC功率开关管短路特性分析及保护综述被引量:1
2016年
为保证碳化硅(SiC)功率器件安全可靠工作,其中一个关键性问题就是功率器件的短路能力。介绍两种短路故障,分析了短路电流变化机理,对3种典型商用SiC功率开关管(SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT)的短路特性进行了对比分析,并对它们的短路检测及保护方法进行了对比分析和归纳,最后进一步探讨和总结了SiC开关管短路能力及短路保护中存在的问题。
徐克峰秦海鸿刘清王丹张英戴卫力
关键词:功率器件短路特性短路保护
共1页<1>
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