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张宇鹏

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学泰达学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇全集成
  • 1篇NGN
  • 1篇LDO

机构

  • 1篇南开大学

作者

  • 1篇戴宇杰
  • 1篇吕英杰
  • 1篇张小兴
  • 1篇张宇鹏

传媒

  • 1篇南开大学学报...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种采用NGNMC结构的LDO的设计
2010年
采用ASMC 0.35μm BiCMOS高压工艺,设计了一种采用NGNMC(Nested Feed forward Gm-stageplus Nested Miller Compensation)结构,输出电压为3.3 V,输出最大电流为100 mA的LDO.这个LDO不需要外接补偿电容,只需要一个片内集成的100 pF的负载电容即可.仿真结果表明,这个LDO具有较低的功耗(静态电流大约为36μA)和较高精度的负载调整率(1.61μV/mA).
张宇鹏戴宇杰张小兴吕英杰
关键词：LDO
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