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黄旭
作品数:
12
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供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
安阳
西安电子科技大学
郝跃
西安电子科技大学
张进成
西安电子科技大学
张金风
西安电子科技大学
李珂
西安电子科技大学
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机构
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西安电子科技...
作者
12篇
黄旭
8篇
张金风
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张进成
8篇
郝跃
8篇
安阳
2篇
卢启军
2篇
李珂
年份
2篇
2022
1篇
2020
2篇
2019
1篇
2018
1篇
2017
4篇
2016
1篇
2015
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一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法
本发明公开了一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法,所述装置部署于FPGA,所述装置包括:一级总线、二级总线、摄像设备、存取存储器、处理器、数字紧耦合存储器、直接存储访问器、加速器、存储卡;所述处理器与所述直接存储访...
杨文豪
卢启军
李珂
江之行
黄旭
赵艳慧
T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小,欧姆接触电阻大,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括:衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、G...
张金风
黄旭
安阳
张进成
郝跃
文献传递
一种基于FPGA的卷积神经网络加速器及其加速方法
本发明公开了一种基于FPGA的卷积神经网络加速器及其加速方法,所述加速器部署于FPGA,所述加速器包括:控制器、卷积模块、先进先出存储器、加法器、偏置缓冲器、池化模块、线性整流函数模块、数据传输通道和随机存取存储器。本发...
杨文豪
卢启军
李珂
江之行
黄旭
赵艳慧
N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。...
张金风
黄旭
安阳
张进成
郝跃
N面GaN HEMT等比例缩小规律与Fin-HEMTs特性仿真研究
众所周知,氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度和很高的电子速度,这使GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)成为高速、大功率应用的理想选择。长期以来人们的工作重点放在Ga面GaN异质结材料与HEMT器件制备上,随着近年来N面...
黄旭
关键词:
HEMT器件
短沟道效应
芯片设计
增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管,主要解决现有增强型器件的阈值电压小,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括:衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
张金风
安阳
黄旭
张进成
郝跃
文献传递
GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管,主要解决现有技术短沟道效应严重,栅控能力差,漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5...
张金风
安阳
黄旭
张进成
郝跃
文献传递
增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管,主要解决现有增强型器件的阈值电压小,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括:衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
张金风
安阳
黄旭
张进成
郝跃
N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。...
张金风
黄旭
安阳
张进成
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GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管,主要解决现有技术短沟道效应严重,栅控能力差,漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5...
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