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黄旭

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电子迁移率
  • 8篇迁移率
  • 8篇晶体管
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇短沟道
  • 7篇短沟道效应
  • 7篇沟道
  • 7篇沟道效应
  • 6篇栅电极
  • 4篇栅结构
  • 4篇GAN
  • 2篇钝化层
  • 2篇增强型
  • 2篇栅介质
  • 2篇振荡频率
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇微波功率器件
  • 2篇泄漏电流

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇黄旭
  • 8篇张金风
  • 8篇张进成
  • 8篇郝跃
  • 8篇安阳
  • 2篇卢启军
  • 2篇李珂

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法
本发明公开了一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法，所述装置部署于FPGA，所述装置包括：一级总线、二级总线、摄像设备、存取存储器、处理器、数字紧耦合存储器、直接存储访问器、加速器、存储卡；所述处理器与所述直接存储访...
杨文豪卢启军李珂江之行黄旭赵艳慧
T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、G...
张金风黄旭安阳张进成郝跃
文献传递
一种基于FPGA的卷积神经网络加速器及其加速方法
本发明公开了一种基于FPGA的卷积神经网络加速器及其加速方法，所述加速器部署于FPGA，所述加速器包括：控制器、卷积模块、先进先出存储器、加法器、偏置缓冲器、池化模块、线性整流函数模块、数据传输通道和随机存取存储器。本发...
杨文豪卢启军李珂江之行黄旭赵艳慧
N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。...
张金风黄旭安阳张进成郝跃
N面GaN HEMT等比例缩小规律与Fin-HEMTs特性仿真研究
众所周知，氮化镓（GaN）材料具有大的禁带宽度和很高的电子速度，这使GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）成为高速、大功率应用的理想选择。长期以来人们的工作重点放在Ga面GaN异质结材料与HEMT器件制备上，随着近年来N面...
黄旭
关键词：HEMT器件短沟道效应芯片设计
增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
张金风安阳黄旭张进成郝跃
文献传递
GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5...
张金风安阳黄旭张进成郝跃
文献传递
增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝...
张金风安阳黄旭张进成郝跃
N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。...
张金风黄旭安阳张进成郝跃
文献传递
GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5...
张金风安阳黄旭张进成郝跃
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