您的位置： 专家智库 > >

周峰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇O

机构

  • 1篇苏州大学

作者

  • 1篇崔进
  • 1篇叶超
  • 1篇刘卉敏
  • 1篇邓艳红
  • 1篇周峰

传媒

  • 1篇苏州大学学报...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
2011年
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.
刘卉敏周峰崔进邓艳红叶超
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0