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沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响: 2009年; 设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。; 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮赵辉崔琦; 关键词：热应力电性能

隧穿型量子效应薄膜材料制备技术: 本文介绍了用分子束外延(MBE)方法制备隧穿型量子效应薄膜材料的技术。随着半导体材料“能带工程”越来越广泛的应用到如无线通信、宽带网络、照明工程等各个领域,量子效应也越来越多的收到研发工程师的重视。隧穿型量子效应薄膜材料...; 商耀辉武一宾卜夏正王建峰牛晨亮; 文献传递

InAs/GaAs系列量子点研究: 2009年; 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。; 王建峰商耀辉武一宾牛晨亮卜夏正; 关键词：自组装量子点分子束外延光致发光谱

RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量被引量：2: 2006年; 在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体质量良好,纳米薄膜的组分和厚度偏差分别控制在2%和3.5%之内,说明薄层的生长得到了精细控制。; 卜夏正武一宾商耀辉王建峰; 关键词：共振隧穿二极管 X射线双晶衍射动力学模拟

隧穿型量子效应薄膜材料制备技术: 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料 GaAs 基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果。重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接...; 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文; 关键词：分子束外延共振隧穿二极管; 文献传递

X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析: 2007年; X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。; 马永强武一宾杨瑞霞李若凡商耀辉牛晨亮卜夏正王建峰; 关键词：超晶格分子束外延 X射线双晶衍射相干长度

隧穿型量子效应薄膜材料制备技术: 2007年; 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术.; 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文; 关键词：分子束外延共振隧穿二极管

用于3mm器件的GaAsPHEMT外延材料: 2015年; 开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电子有效质量推算了InGaAs沟道的In组分范围;通过计算沟道内二维量子态浓度和临界厚度设计了沟道厚度。在MBE生长过程中通过工艺调整改善了高In组分沟道的晶体质量和界面平整度,降低了散射概率,设计并生长了不同沟道In组分和厚度组合的GaAs PHEMT材料,根据霍尔测试结果进行微调后室温霍尔迁移率和二维电子气(2DEG)浓度分别达到9 080 cm2/(V·s)和3.61×1012 cm-2。3mm功放器件结果:输出功率为21dBm,29 GHz下功率增益为8 dB,饱和电流为400 mA/mm,最大跨导为800mS/mm。; 卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮王健; 关键词：GAAS PHEMT 电子迁移率 INGAAS

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卜夏正