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阎兰琴

作品数：1 被引量：12H指数：1
供职机构：北京航空航天大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导电
  • 1篇烧结剂
  • 1篇高导电
  • 1篇高导电性
  • 1篇ITO
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 1篇丁照崇
  • 1篇王天民
  • 1篇崔敏
  • 1篇张维佳
  • 1篇金飞
  • 1篇阎兰琴

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高密度高导电性ITO靶研制被引量：12
2006年
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
张维佳王天民崔敏金飞丁照崇阎兰琴
关键词：ITO烧结剂掺杂
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共1页<1>
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