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宗磊

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 1篇对光
  • 1篇探测器
  • 1篇响应特性
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇ZNO
  • 1篇ALN
  • 1篇ALN缓冲层

机构

  • 2篇鲁东大学
  • 2篇曲阜师范大学

作者

  • 2篇梁德春
  • 2篇李新坤
  • 2篇李清山
  • 2篇宗磊
  • 1篇徐言东
  • 1篇张霞
  • 1篇孙方华

传媒

  • 1篇物理实验
  • 1篇激光技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
光电探测器结构对光响应特性的影响被引量：2
2009年
为了研究不同结构光电探测器的光响应特性,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上制备了ZnO基紫外探测器。X射线衍射谱、扫描电子显微镜和光致发光光谱显示,ZnO膜为多晶结构,表面平整,并具有良好的化学配比。比较平面结构探测器和夹层式探测器的光响应特性可知,探测器结构对光电探测特性具有重要影响。结果表明,平面结构探测器中的电极宽度引起响应时间和响应度之间的竞争,而具有透明电极氧化铟锡的夹层式探测器则不存在这一问题。
梁德春李清山孙方华李新坤宗磊
关键词：光电探测器脉冲激光沉积响应特性
AlN缓冲层对ZnO薄膜质量的影响被引量：2
2008年
采用脉冲激光沉积法以AlN为缓冲层在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜，并测量了样品的XRD谱、SEM图和PL谱．结果表明，AlN缓冲层可以提高Si衬底上外延生长ZnO薄膜的晶体质量．改变缓冲层的生长温度（50～500℃）所制备样品的测量结果表明，较低温度下生长的AlN缓冲层有利于制备高质量的ZnO外延层薄膜，其中AlN缓冲层生长温度为100℃时外延生长ZnO薄膜晶体质量最好．
宗磊李清山李新坤张霞梁德春徐言东
关键词：脉冲激光沉积ZNOALN缓冲层
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