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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单粒子
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇SEU
  • 2篇DICE
  • 1篇SPI通信
  • 1篇SPI协议
  • 1篇SRAM
  • 1篇D触发器
  • 1篇MCBSP
  • 1篇波特率
  • 1篇触发器
  • 1篇串行
  • 1篇串行通信

机构

  • 3篇江南大学
  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇陶建中
  • 3篇陈振娇
  • 3篇孙敬
  • 1篇徐新宇
  • 1篇薛海卫
  • 1篇张宇涵

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 3篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
McBSP与SPI通信的时序与波特率配置分析
2016年
为了解决多通道缓冲串行口McBSP与外围设备串行通信过程中出现数据丢失、数据串扰等问题,提高串行通信的稳定性,对数据收发双方的时序及其传输速率进行分析与改进。基于SPI协议设计McBSP与SPI通信的接口,分析了McBSP与SPI的串行通信问题,着重分析了仿真中的时序问题,并给出了波特率的正确配置方法。仿真结果表明,适当的波特率配置可提高串行通信的稳定性与准确性,同时能够满足实际应用需求。
孙敬陶建中陈振娇
关键词:串行通信MCBSPSPI协议波特率
改进DICE结构的D触发器抗SEU设计
2016年
基于DICE结构主-从型D触发器的抗辐照加固方法的研究,在原有双立互锁存储单元(DICE)结构D触发器的基础上改进电路结构,其主锁存器采用抗静态、动态单粒子翻转(SEU)设计,从锁存器保留原有的DICE结构。主锁存器根据电阻加固与RC滤波的原理,将晶体管作电阻使用,使得电路中存在RC滤波,通过设置晶体管合理的宽长比,使其与晶体管间隔的节点的电平在SEU期间不变化,保持原电平状态,从而使电路具有抗动态SEU的能力。Spectre仿真结果表明,改进的D触发器既具有抗动态SEU能力,又保留了DICE抗静态SEU较好的优点,其抗单粒子翻转效果较好。
孙敬陈振娇陶建中张宇涵
关键词:单粒子翻转DICED触发器
基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计
2016年
双立互锁存储单元(DICE),在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转(SEU)加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱.为此,在DICE结构的基础上采用读写分离机制,以解决DICE单元在读写过程中的节点翻转问题.同时,根据电阻加固原理,在DICE存储单元的节点之间增加NMOS管,即TDICE(Transistor DICE)结构,其利用晶体管隔离反馈回路中的节点间的连接,提高了SRAM的抗多节点翻转能力.Spectre仿真结果表明:基于TDICE单元的SRAM具有较强的抗单粒子翻转能力.
孙敬陈振娇陶建中薛海卫徐新宇
关键词:SRAM单粒子翻转DICE
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