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孙丽

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇团簇
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇P-GAN
  • 1篇铟

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇陈明
  • 1篇翁国恩
  • 1篇张江勇
  • 1篇张保平
  • 1篇梁明明
  • 1篇孙丽

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响
2013年
近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响。电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性。变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中。然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率。
孙丽张江勇陈明梁明明翁国恩张保平
关键词：热退火位错密度
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