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石栋

作品数:6 被引量:8H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇栅极
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇光探测
  • 2篇感光
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇安防
  • 2篇GAN基HE...
  • 1篇信息发送
  • 1篇异质结
  • 1篇栅结构
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射线衍射
  • 1篇视频
  • 1篇视频监控
  • 1篇探测器
  • 1篇图像
  • 1篇图像处理

机构

  • 6篇北京工业大学
  • 1篇中国移动通信...

作者

  • 6篇石栋
  • 5篇朱彦旭
  • 4篇宋会会
  • 3篇王岳华
  • 1篇邹德恕
  • 1篇王红航

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化被引量:1
2019年
铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。
朱彦旭李赉龙白新和宋会会石栋杨壮杨忠
关键词:高电子迁移率晶体管光伏效应
氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备被引量:2
2017年
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为栅控器件,具有AlGaN/GaN异质结处高浓度的二维电子气(2DEG)及对表面态敏感等特性,在栅位置处与感光功能薄膜的结合是光探测器领域重要的研究方向之一.本文首先提出在GaN基HEMT栅电极上引入光敏材料锆钛酸铅(PZT),将具有光伏效应的铁电薄膜PZT与HEMT栅极结合,提出一种新的"金属/铁电薄膜/金属/半导体(M/F/M/S)"结构;然后在以蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延片上制备感光栅极HEMT器件.最后,通过PZT的光伏效应来调控沟道中的载流子浓度和通过源漏电流的变化来实现对可见光和紫外光的探测.在365 nm紫外光和普通可见光条件下,对比测试有/无感光栅极的HEMT器件,在较小V_(gs)电压时,可见光下测得前者较后者的饱和漏源电流I_(ds)的增幅不下降,紫外光下前者较后者的I_(ds)增幅大5.2 mA,由此可知,感光栅PZT在可见光及紫外光下可作用于栅极GaN基HEMT器件并可调控沟道电流.
朱彦旭宋会会王岳华李赉龙石栋
关键词:锆钛酸铅光探测
基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展被引量:4
2016年
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器,对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结;而后,着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度,阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展,其中,从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器;最后,探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
朱彦旭王岳华宋会会李赉龙石栋
关键词:ALGAN/GAN异质结2DEG栅结构光探测器
基于深度学习的目标识别及安防应用研究
视觉是人类与外界交流的重要渠道。计算机视觉通过模拟人类视觉的形式来获取、识别和理解客观信息,不断改善着人们的生活。计算机视觉技术的发展促进了视频监控系统的大规模应用。但传统的视频监控系统需要极大的人力和物力来维持,并且缺...
石栋
关键词:视频监控目标识别图像处理
文献传递
溅射制备不同厚度Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜结晶态的研究被引量:1
2017年
研究了射频磁控溅射的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT52/48)薄膜在退火晶化时,厚度对其结晶态及表面形貌的影响。首先利用Materials Studio软件对PZT分子进行了模拟,并模拟了X射线衍射(XRD)得到PZT的特征峰图;实验上,采用退火炉对不同厚度的PZT(52/48)薄膜进行了不同温度及时间的退火;接着采用XRD对各样片薄膜进行了结晶物相分析;采用FIB对部分样片薄膜表面形貌进行了观察。实验结果显示,薄膜的厚度及退火条件在一定程度上对其结晶态的影响是一致的;对于一定厚度的薄膜,合适且相同的退火(650℃)条件都可以使其形成单一的PZT(52/48)物相;二次退火对较厚薄膜结晶化有一定的作用,但随着溅射薄膜厚度的增加而累加了内应力,退火后形成有PZT(52/48)物相的较厚薄膜表面出现裂纹越明显。
朱彦旭王岳华宋会会邹德恕李莱龙石栋
关键词:射频磁控溅射
一种基于深度学习的安防系统及安防报警方法
本发明实施例提供一种基于深度学习的安防系统及安防报警方法,所提供的系统包括:图像采集装置,用于对监控区域进行图像采集,获得图像信息,并将所述图像信息发送给运动物体识别模块;运动物体识别模块,用于对所述图像信息进行运动物体...
朱彦旭石栋李赉龙杨忠杨壮李锜轩王猜魏昭王红航白新和刘凯阳
文献传递
共1页<1>
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