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在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜: 采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapp...; Xiuwen Chen陈秀文Caihong Jia贾彩虹Hongtao Wang王宏涛Weifeng Zhang张伟风; 关键词：氮化铝薄膜晶体质量

激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质被引量：3: 2015年; 采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。; 方应龙贾彩虹陈秀文张伟风; 关键词：异质结激光分子束外延电导法界面态密度

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陈秀文