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张晓倩
作品数:
2
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供职机构:
河北工业大学
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发文基金:
河北省科技支撑计划项目
河北省高等学校科学技术研究指导项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
狄炤厅
河北工业大学信息工程学院
张明兰
河北工业大学信息工程学院
杨瑞霞
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GaN基HEMT性能研究
氮化镓(GaN)作为一种典型的第三代宽禁带半导体材料,具有热导率高、电子漂移速率高、击穿场强高、耐腐蚀、耐高温、化学性质稳定等特点,被广泛应用于高频、高温、大功率微波领域。AlGaN/GaN HEMT也就是高电子迁移率晶...
张晓倩
关键词:
氮化镓
半导体材料
氮化镓材料中质子输运过程的模拟
2012年
对入射能量为50keV~3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出。
张明兰
张晓倩
杨瑞霞
狄炤厅
关键词:
GAN
质子
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