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张晓倩

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省科技支撑计划项目河北省高等学校科学技术研究指导项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 1篇氮化镓材料
  • 1篇性能研究
  • 1篇质子
  • 1篇输运
  • 1篇输运过程
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基HE...
  • 1篇HEMT

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇张晓倩
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇张明兰
  • 1篇狄炤厅

传媒

  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN基HEMT性能研究
氮化镓（GaN）作为一种典型的第三代宽禁带半导体材料，具有热导率高、电子漂移速率高、击穿场强高、耐腐蚀、耐高温、化学性质稳定等特点，被广泛应用于高频、高温、大功率微波领域。AlGaN/GaN HEMT也就是高电子迁移率晶...
张晓倩
关键词：氮化镓半导体材料
氮化镓材料中质子输运过程的模拟
2012年
对入射能量为50keV～3MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征。模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当入射能量小于300keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出。
张明兰张晓倩杨瑞霞狄炤厅
关键词：GAN质子输运
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共1页<1>
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