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黄魏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院微电子学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇浅结
  • 1篇微分
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇PN结
  • 1篇超浅结

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇茹国平
  • 1篇李炳宗
  • 1篇屈新萍
  • 1篇武慧珍
  • 1篇蒋玉龙
  • 1篇黄魏

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
反应离子刻蚀剥层的微分霍耳法表征超浅pn结被引量：1
2007年
用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级.
武慧珍茹国平黄魏蒋玉龙屈新萍李炳宗
关键词：超浅结载流子浓度载流子迁移率
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