李翠
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种具有通孔结构的三维陶瓷基板填孔质量多角度检验装置
- 本实用新型公开了一种具有通孔结构的三维陶瓷基板填孔质量多角度检验装置，属于陶瓷基板可靠性检测技术领域。该检验装置包括母板、多角度限位子板、棱边数卡片、位置序号卡片；其中：所述母板设有插槽，多角度限位子板通过插入插槽与母板...
- 赵鹤然李翠陈明祥
- 晶体磨床操控器设计
- 2016年
- 随着材料科学研究的深入,对晶体的精细加工已成为一种趋势和要求。因此,在新一代磨床设计上,使用了双电机调速及联动的方式,改进了工艺,提高了生产效率。通过进一步优化操控器,对模拟通道进行了非线性校正,即通过分档处理,采取整档位校准和档内线性插入的方法,有效地改善了控制曲线,提高了控制精度。采用12位D/A转换器,既保证调节的细腻平滑,也为校准预留了足够的映射空间,最终使系统在数字层面上实现了纠偏。同时还引入一些辅助手段,增加存储器,以保存机器参数和建立输入数据索引表,设立定时器、报警器和密码锁,以方便生产过程管理。
- 赵德权李翠苏琳
- 关键词：晶体映射调速非线性校正
- 使用抗静电尼龙板进行抗静电防护的试验方法
- 本发明涉及使用抗静电尼龙板进行抗静电防护的试验方法，包括以下步骤：确定所要进行随机振动试验的器件，按器件尺寸设计随机振动实验夹具；在夹具内设置防静电尼龙板，进行器件的随机振动试验。本发明使用抗静电尼龙板对多支器件随机振动...
- 徐衡李翠邹明亮
- 文献传递
- 覆盖Si_3N_4层和栅氧化物氮化对晶体管的影响
- 2006年
- 研究了在各种各样的晶体管中高于最低限度的坡面外层上覆盖硅氮化物和栅氧化物被氮化的影响,同时制作出具有高、低压晶体管的硅晶片。当干燥氧化物和降低化学蒸汽的压力使之凝固的2个步骤(LPCVD)被用于厚栅氧化物时,薄栅氧化物被氮氧化改善。薄栅氧化物的厚度是4.5nm,厚栅氧化物的厚度为29nm。低压nMOS和pMOS不显示出任何驼峰,高压pMOS也一样。高压nMOS高于最低限度的驼峰取决于工艺条件。它表明没有覆盖硅氮化层的严重驼峰取决于经过LPCVD的内部涂层氧化沉淀后化学处理期间的湿度扩散。这说明,采用氮氧化物阻止水汽扩散防止驼峰的方法是有效的。
- 柳海生李翠
- 关键词：CMOS驼峰
- 基于SST39VF640x闪存的擦写器设计被引量：1
- 2017年
- 为了实现对SST39VF640x闪存4M空间的字编程,需要搭建一个16位的数据通道,使得C51微处理器每次对外存的访问,都能以双字节的方式进行,同时,须补齐系统指令寻址能力的短板,以满足对4M地址的I/O操作需求。实施中,充分利用C51外总线固有时序,并引入一定数量的寄存器,预设或锁存地址和数据,在读/写周期内,借助/RD、/WR和ALE的协调,完成总线信息的归并及拆分。通过总线接口的再构造,使本质上属于字节操作的微系统具有了字传输能力,并对擦/写流程进行简化,提出了具体实施方案,大幅缩短了试验周期,加快了试验进程。
- 赵德权苏琳李翠
- 关键词：闪存总线接口拆分
- EEPROM耐久性试验方法及装置
- 本发明公开了一种EEPROM耐久性试验方法，包括：搭建矩阵结构；以“擦除-写入-读校验”为一轮测试周期对所有管位上的待测试EEPROM批量测试。针对现有EEPROM耐久性试验过程进行改进，省略“查空”步骤，引入并行操作，...
- 赵德权李翠于祥苓常宏伟戴俊夫裴志强
- 文献传递
