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王小红

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院基金更多>>
相关领域:核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇
  • 1篇氮化
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子氮化
  • 1篇等离子体
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇镀层
  • 1篇镍镀层
  • 1篇贫铀
  • 1篇离子氮化
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇溅射
  • 1篇表面磁控溅射
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇陈林
  • 2篇王小红
  • 1篇李科学
  • 1篇龙重
  • 1篇王庆富
  • 1篇管卫军
  • 1篇钟永强

传媒

  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇真空

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
铀表面脉冲辉光等离子氮化初步研究被引量:1
2012年
采用脉冲辉光等离子体离子氮化技术对贫铀表面进行了氮化处理,采用俄歇电子能谱(AES)对氮化层进行元素深度剖析,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氮化层组织结构进行了分析表征。结果表明:脉冲偏压-900 V,工作氮分压50 Pa、100 Pa,氮化时间2.5 h^4 h下在贫铀表面能获得约20μm厚的氮化层,氮化层为U2N3的单一立方结构且均匀致密,脉冲辉光等离子氮化技术能在贫铀表面实现氮化。
王小红陈林龙重钟永强
关键词:离子氮化
铀表面磁控溅射镍镀层的电化学腐蚀行为研究被引量:1
2014年
采用磁控溅射离子镀膜技术在贫铀表面制备金属镍镀层,利用电化学测试技术研究了镍镀层在Cl-溶液中的电化学腐蚀行为。结果表明:在含50μg/g Cl-的KCl溶液中,镍镀层的腐蚀电位-100.8mV高于贫铀的腐蚀电位-641.2mV,相对于贫铀是阴极性镀层,对贫铀的保护基于对腐蚀介质的物理屏障;镀镍贫铀样品的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,其腐蚀电流远小于贫铀;约70h的连续腐蚀实验中镍镀层未出现镀层破裂、剥落现象,且腐蚀电位、电流保持稳定。说明镍镀层对贫铀基体具有良好的防腐蚀性能。
陈林李科学王庆富王小红管卫军
关键词:贫铀磁控溅射镍镀层电化学腐蚀
共1页<1>
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