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李云龙

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇氧化钒薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇O2
  • 1篇TCR
  • 1篇MGO
  • 1篇MNSI
  • 1篇垂直磁各向异...
  • 1篇磁各向异性
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇PD/C

机构

  • 2篇西安理工大学
  • 1篇武警后勤学院

作者

  • 2篇游才印
  • 2篇李云龙
  • 1篇田娜
  • 1篇张霄
  • 1篇周广迪

传媒

  • 1篇金属功能材料
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Pd/Co2MnSi/MgO三层薄膜的垂直磁各向异性
以高自旋极化率的 Heusler 合金Co2MnSi 作为铁磁层可实现大的磁电阻效应,从而被认为是磁随机存储器(MRAM)自旋电子器件极具潜力的候选铁磁层材料之一[1].另外,研究发现具有垂直磁各向异性(PMA)的铁磁层...
付花睿游才印李云龙田娜
磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜被引量:3
2017年
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO_2(M),VO_2(M,B)和V_6O_(13)的混合结构,并且晶化程度逐渐提高。氧分压6.67%的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST。氧分压10%的薄膜具有-2.38%/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×10~4Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求。
李云龙付花睿张霄周广迪游才印沈乾龙
关键词:氧化钒薄膜磁控溅射
共1页<1>
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