周广迪
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜被引量：3
- 2017年
- 采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO_2(M),VO_2(M,B)和V_6O_(13)的混合结构,并且晶化程度逐渐提高。氧分压6.67%的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST。氧分压10%的薄膜具有-2.38%/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×10~4Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求。
- 李云龙付花睿张霄周广迪游才印沈乾龙
- 关键词：氧化钒薄膜磁控溅射
