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王丽华
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3
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供职机构:
河北工业大学材料科学与工程学院
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发文基金:
河北省自然科学基金
河北省科学技术研究与发展计划项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘彩池
河北工业大学材料科学与工程学院...
郝秋艳
河北工业大学材料科学与工程学院...
王娜
河北工业大学材料科学与工程学院...
孙卫忠
河北工业大学材料科学与工程学院...
解新建
河北工业大学材料科学与工程学院
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2012
1篇
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大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
2009年
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。
孙卫忠
王娜
王丽华
郝秋艳
刘彩池
关键词:
半绝缘砷化镓
EL2
红外光谱分析
热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响
2012年
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定,真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时,EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。
王丽华
郝秋艳
解新建
刘红艳
刘彩池
关键词:
半绝缘砷化镓
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
2008年
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。同时研究了离子注入前后样品电参数的径向分布规律。发现注入前后样品的电阻率均成U型分布,迁移率均成W型分布,而载流子浓度均成M型分布。离子注入及退火工艺并没有改变大直径GaAs电参数的径向分布规律,但注入后的高温热处理提高了晶体的电学均匀性。
王娜
王丽华
孙卫忠
郝秋艳
刘彩池
关键词:
半绝缘砷化镓
离子注入
电特性
快速热退火
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