于新海
- 作品数：13 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- CMOS反相器和GaAs HEMT器件的HPM效应研究
- 高功率微波(high power microwave,HPM)极易通过耦合途径作用到电子系统上，并导致其发生扰乱、退化甚至损伤效应，给电子系统带来极大威胁。HPM技术的不断发展使得这种威胁持续升级。微电子元器件是电子系统...
- 于新海
- 关键词：高功率微波CMOS反相器高电子迁移率晶体管
- 一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
- 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF，(2)对待测样品持...
- 柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
- 文献传递
- 复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法
- 一种复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和...
- 柴常春陈鹏远杨琦杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
- 文献传递
- 运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及应用
- 本发明公开了一种运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及其应用，多叉指MOS晶体管由多个并联的指状结构构成，其中每一个叉指均存在一个寄生的横向三极管，并且各寄生横向三极管集电极通过共漏极线耦接于集成电路的I/O端...
- 吴晓鹏于新海杨银堂柴常春高海霞董刚
- 文献传递
- 近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
- 本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
- 柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
- 文献传递
- GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量：4
- 2016年
- 提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.
- 刘阳柴常春于新海樊庆扬杨银堂席晓文刘胜北
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管
- 浑亚微米GGNMOS的ESD防护特性研究
- 随着集成电路技术的发展，新工艺不断出现，特征尺寸不断减小，ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOSESD防护特性及其影响因素成为必要。 本文利用混合仿真方法对GGNMOS器件在ESD脉冲下的瞬态特性进...
- 于新海
- 关键词：静电释放深亚微米
- 文献传递
- 近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
- 本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
- 柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
- 文献传递
- 一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
- 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF，(2)对待测样品持...
- 柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
- 槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法
- 一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极...
- 柴常春杨琦陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
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