您的位置： 专家智库 > >

李钊君

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇碳化硅
  • 6篇集电区
  • 6篇隔离区
  • 4篇微电子
  • 4篇发射区
  • 4篇达林顿管
  • 3篇双极型
  • 3篇双极型晶体管
  • 3篇晶体管
  • 2篇电流增益
  • 2篇增益
  • 2篇集成式
  • 1篇少子寿命
  • 1篇离子注入
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极型...
  • 1篇N型
  • 1篇ESR谱

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇李钊君
  • 6篇元磊
  • 6篇汤晓燕
  • 6篇宋庆文
  • 6篇张玉明
  • 6篇张艺蒙

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2017
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。以提高驱动管电流增益，同时使得工艺简单，降低成本。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈倾斜槽型的器件隔离区和呈垂直...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法
本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅达林顿管存在驱动管电流处置能力较小，且制作工艺复杂，导致成本比较高的问题。包括：N+发射区，设置在基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
N型SiC外延材料少子寿命提升技术研究
近年来，由于碳化硅(SiC)双极器件在超高压(> 5000V)应用领域优越的性能，SiC PiN二极管、双极结晶体管(BJTs)和绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)等双极型功率器件受到了更多的关注。基于 SiC 的绝缘栅双...
李钊君
关键词：离子注入少子寿命绝缘栅双极型晶体管ESR谱
基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法
本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法
本发明公开了一种整体型碳化硅达林顿管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅达林顿管存在驱动管电流处置能力较小，且制作工艺复杂，导致成本比较高的问题。包括：N+发射区，设置在基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件...
元磊李钊君宋庆文汤晓燕张艺蒙张玉明
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0