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朴巍

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氧化层
  • 2篇栅电容
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇漏电
  • 2篇晶体管
  • 2篇MOS晶体管

机构

  • 2篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇孙玲玲
  • 2篇刘军
  • 2篇王颖
  • 2篇朴巍

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管
本发明公开了一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构...
王颖朴巍刘军孙玲玲
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一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管
本发明公开了一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构...
王颖朴巍刘军孙玲玲
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