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王颖

作品数：110 被引量：52H指数：4
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术社会学更多>>

合作作者

文献类型

  • 84篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 18篇经济管理
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇政治法律

主题

  • 18篇晶体管
  • 13篇单粒子
  • 13篇电极
  • 12篇沟槽
  • 11篇碳化硅
  • 11篇埋氧层
  • 11篇沟道
  • 11篇场板
  • 10篇电流
  • 9篇单粒子烧毁
  • 9篇势垒
  • 9篇探测器
  • 9篇中子
  • 9篇中子探测
  • 9篇中子探测器
  • 9篇场效应
  • 9篇场效应晶体管
  • 8篇企业
  • 7篇总剂量
  • 6篇导通

机构

  • 105篇杭州电子科技...
  • 2篇哈尔滨工业大...

作者

  • 105篇王颖
  • 63篇曹菲
  • 53篇于成浩
  • 8篇孙玲玲
  • 6篇王艳福
  • 4篇唐琰
  • 4篇刘彦娟
  • 2篇周鑫
  • 2篇李金新
  • 2篇刘军
  • 2篇张洪芳
  • 2篇王昌锋
  • 2篇王勇
  • 2篇郑梁
  • 2篇杨洋
  • 2篇郑超越
  • 2篇孙飞龙
  • 2篇张文豪
  • 2篇朴巍
  • 1篇陈杰

传媒

  • 7篇经济论坛
  • 3篇特区经济
  • 2篇商场现代化
  • 1篇华东经济管理
  • 1篇经济问题探索
  • 1篇中国证券期货
  • 1篇财会月刊（中...
  • 1篇全国商情
  • 1篇现代商业
  • 1篇第一届研究生...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 14篇2022
  • 13篇2021
  • 17篇2020
  • 13篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 10篇2016
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇1999
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
企业营救中危机企业价值评价方法的选择与模型构建被引量：1
2005年
企业营救是解决企业危机的一种新方式。目前国内外企业营救理论研究已经逐步深入并扩展到很多方面,其中危机企业价值评价是该理论体系的一个重要组成部分。本文以目前存在的各种企业价值评价方法为切入点,结合企业营救的特征,分析各种方法在危机企业价值评价中的适用性,选择恰当的方法,并建立危机企业价值评价的模型,为企业营救的可行性研究提供必要的决策依据。
王颖莫桂青
关键词：企业营救外企模型构建
一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区，N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区，能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布，可使整个...
于成浩王颖郭浩民包梦恬张立龙
一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构，包括外延层，所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构，所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层；所述外延层第二主面设有衬底层，所述衬底层上设有漏极金属层；所述有源区与所述...
王颖于成浩曹菲包梦恬
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一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构以及制备方法
本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型...
王颖毕建雄曹菲包梦恬于成浩李兴冀杨剑群
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4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括P+欧姆接触区、N+发射区、P型沟道区、载流子存储层、N‑电压阻挡层、N+缓冲层、P+集电区、P型多晶硅区、沟槽型栅极；本发明相对于传统结构，主要提出了在器件集电极一侧...
王颖毛鸿凯曹菲包梦恬
文献传递
一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管
本发明公开一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管,包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质上栅极和下栅极；其中漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从漏区到沟道区的掺杂浓度相同，源区采用...
王颖张文豪曹菲于成浩
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企业营救的委托代理解析及最优契约安排
2005年
王颖周鑫
关键词：委托代理最优契约企业管理危机管理
抗单粒子烧毁LDMOS器件
本发明提出了一种抗单粒子烧毁LDMOS器件，该结构通过在器件的漂移区制作一个P<Sup>‑</Sup>埋层结构，其中P<Sup>‑</Sup>埋层的掺杂浓度和纵向结深可通过注入剂量和注入能量进行控制，P<Sup>‑</S...
王颖于成浩曹菲包梦恬
文献传递
一种非对称双栅无结场效应晶体管
本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重...
王颖孙玲玲唐琰曹菲
文献传递
一种抗单粒子烧毁的GaN器件
本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件，包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层；GaN中间缓冲层中设有夹层，夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层；GaN中间缓冲层上表面的...
王颖张飞包梦恬于成浩曹菲李兴冀杨剑群吕钢
文献传递
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