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王艳福

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇沟道
  • 3篇电学
  • 3篇电学特性
  • 3篇隧穿
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇亚阈值
  • 2篇势垒
  • 2篇双栅
  • 2篇隧穿电流
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基结
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇埋氧层
  • 2篇开关特性
  • 2篇沟道效应
  • 2篇尺寸缩小
  • 1篇电极
  • 1篇电源
  • 1篇电源插头

机构

  • 6篇杭州电子科技...

作者

  • 6篇王颖
  • 6篇曹菲
  • 6篇王艳福
  • 6篇于成浩

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种肖特基结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的硅或者其他的半导体材料从而在漏区与沟道接...
王颖曹菲王艳福于成浩
文献传递
一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟...
王颖曹菲王艳福于成浩
一种肖特基结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管，包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层；本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的硅或者其他的半导体材料从而在漏区与沟道接...
王颖曹菲王艳福于成浩
文献传递
一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟...
王颖曹菲王艳福于成浩
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一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。...
王颖曹菲王艳福于成浩
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一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。...
王颖曹菲王艳福于成浩
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