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曹菲

作品数：63 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇中文专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 14篇晶体管
  • 11篇单粒子
  • 11篇沟道
  • 10篇电极
  • 8篇电流
  • 8篇势垒
  • 8篇埋氧层
  • 8篇沟槽
  • 8篇场板
  • 7篇单粒子烧毁
  • 7篇肖特基
  • 6篇导通
  • 6篇双极型
  • 6篇双极型晶体管
  • 6篇双栅
  • 6篇损耗
  • 6篇碳化硅
  • 6篇关断
  • 6篇关断损耗
  • 6篇IGBT

机构

  • 63篇杭州电子科技...

作者

  • 63篇王颖
  • 63篇曹菲
  • 44篇于成浩
  • 6篇孙玲玲
  • 6篇王艳福
  • 4篇唐琰
  • 4篇刘彦娟
  • 2篇杨洋
  • 2篇张文豪
  • 1篇张飞
  • 1篇林茂

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 9篇2022
  • 9篇2021
  • 15篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 9篇2016
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管
本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极将P+集电区深...
王颖毛鸿凯曹菲于成浩
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一种碳化硅功率器件堆叠栅介质及制造方法
本发明公开一种碳化硅功率器件AlON/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>堆叠栅介质，所述电容结构包括：SiC衬底、堆叠栅介质层和正负金属电极；在所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述堆叠栅介质层包括...
王颖隋金池曹菲包梦恬于成浩
一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管
本发明公开了一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与源极相连P型埋层，漏场板；所述源极相连P型埋层位于低浓度陷阱...
王颖罗昕于成浩曹菲
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一种基于双面T型沟槽的碳化硅中子探测器
本发明涉及半导体中子探测领域，尤其涉及一种基于双面T型沟槽的碳化硅中子探测器，包括4H‑SiC外延片、开设在4H‑SiC外延片正面的第一T型沟槽和开设在4H‑SiC外延片背面的第二T型沟槽；4H‑SiC外延片正面台面上设...
王颖张立龙曹菲刘士进
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一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构
本发明提供了一种消除负阻效应的RC‑IGBT器件。该RC‑IGBT器件与传统器件相比，在N型集电区和P型集电区上方有混合交替排列的N型和P+型缓冲层，且最靠近N型集电区的P+柱边缘超过N型缓冲层。由于上述混合交替排列N型...
王颖张孝冬于成浩曹菲
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一种高转换增益和低串扰的像素探测器
本发明公开了一种高转换增益和低串扰的像素探测器，包括：低阻硅层(电路层)、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱；本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之...
王颖兰昊曹菲于成浩
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一种抗单粒子辐射加固的GaN器件
本发明公开一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层；抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极、漏极；源极、漏极贯穿势垒层、钝化层；源极、漏极之间设有沟槽，沟槽...
王颖程有忠曹菲包梦恬于成浩
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一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器
本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极；探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累，...
王颖曹菲项智强于成浩
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具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法
本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的肖特基二极管器件及制备方法，包括：N+衬底层；N型不同浓度多缓冲层，位于N+衬底层上；P型区，包括：P+区和P‑缓冲层，P‑缓冲层位于P+区下方；N型场截止层，位于P‑缓冲层下方；N‑...
王颖陈嘉豪曹菲郭浩民张立龙
一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构，包括外延层，所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构，所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层；所述外延层第二主面设有衬底层，所述衬底层上设有漏极金属层；所述有源区与所述...
王颖于成浩曹菲包梦恬
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