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刘彦娟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇双极型
  • 4篇双极型晶体管
  • 4篇晶体管
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇损耗
  • 2篇通态压降
  • 2篇重掺杂
  • 2篇金属
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇集电区
  • 2篇沟槽
  • 2篇关断
  • 2篇关断损耗
  • 2篇发射极
  • 2篇发射区
  • 2篇4H-SIC

机构

  • 4篇杭州电子科技...

作者

  • 4篇王颖
  • 4篇曹菲
  • 4篇于成浩
  • 4篇刘彦娟

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种沟槽绝缘栅双极型晶体管
本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；其中，所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型...
王颖刘彦娟于成浩曹菲
一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第...
王颖刘彦娟曹菲于成浩
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一种沟槽绝缘栅双极型晶体管
本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；其中，所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型...
王颖刘彦娟于成浩曹菲
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一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第...
王颖刘彦娟曹菲于成浩
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