李大卫
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信机械工程更多>>
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列...
- 黄火林左青源刘艳红代建勋李大卫
- 不锈钢基板上合成碳纳米线圈及其场发射特性(英文)被引量：1
- 2014年
- 在滴有锡溶液的普通不锈钢片上,利用热化学气相沉积法合成了碳纳米线圈。在900℃煅烧导致不锈钢片表面的皲裂,使得Fe(Ni)和Sn能够充分融合,并形成了适合于碳纳米线圈生长的具有活性的Fe(Ni)-Sn-O催化剂颗粒。研究分散在n型硅基板上的合成碳纳米线圈的场发射特性。结果表明碳纳米线圈具有大小为1.6 V/mm的低开启电场。单根直立的和躺倒的碳纳米线圈上的电场分布成功地解释了Fowler-Nordheim(F-N)图的"行为"。同时发现躺倒的碳纳米线圈上的场增强因子β是躺倒的碳纳米管上的2.25倍。这是因为碳纳米线圈的螺旋结构减少了周围基板对其的屏蔽效应。在这种情况下,碳纳米线圈更易发射电子,有望应用在X射线源,场发射显示器和其他微纳米装置中。
- 李利利潘路军李大卫赵琴马赫
- 关键词：煅烧温度场发射有限元法
- 一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法
- 本发明公开了一种用于微纳尺度非线性光多维度调控的二维半导体/图案化铁电异质结构及制备方法，其异质结构，包括位于下层的图案化铁电超薄膜和位于上层的二维半导体层；激发光垂直入射到异质结构，作用在二维半导体层上产生二次谐波光信...
- 李大卫
- 反应温度的变化对碳纳米线圈成长形貌的影响
- 设计不同结构或形貌的碳纳米材料是非常有意义的一件事.目前,研究者已经能够成功合成多种不同形貌的碳纳米材料,尤其以碳纳米管和碳纳米纤维为主。本文通过简易的温控方法合成了具有新型结构的碳纳米线圈。在反应过程中，通过控制反应温...
- 李大卫潘路军
- 关键词：碳纳米材料反应温度
- 文献传递
- 碳纳米线圈的高效制备及其生长机理研究
- 碳纳米线圈是一种新型的碳纳米材料,除了具有碳纳米管的优异特性外,由于其独特的三维螺旋结构,还具有突出的机械特性和电磁特性。这些优异的特性,及其独特的螺旋结构,使得它具有广阔的应用前景。然而碳纳米线圈还没有实现大量合成,这...
- 李大卫
- 关键词：催化剂化学气相沉积
- 文献传递
- 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法
- 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法，属于半导体气敏传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.使用磁控溅射机在二氧化硅片上溅射氧化镓薄膜；步骤2.采用热退火的方法使氧化镓薄膜转变为多晶薄膜；步骤3.采用湿法...
- 代建勋叶太森黄火林战雪冬沈涵王钰昕黄辉李大卫刘艳红陶鹏程
- 一种具有阵列侧栅结构的HEMT器件及其制备方法
- 一种具有阵列侧栅结构的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，源极和漏极设置在势垒层上方，栅极设置在势垒层上方、并延伸至沟道层；位于栅极区的沟道层、势垒层、栅金...
- 黄火林孙楠代建勋李大卫刘艳红李书兴黄辉
- 碳纳米线圈的可控制备及其在SERS中的应用研究
- 随着纳米科技研究的不断深入，各种新型低维纳米结构材料层出不穷，并展现出丰富、新奇的物理、化学特性，大大推动了纳米科学的发展。最近，在纳米科学研究中，碳纳米材料（碳纳米管、石墨烯、碳纳米线圈等）引起了人们极大的关注。相对于...
- 李大卫
- 关键词：形貌控制表面增强拉曼散射
- 碳纳米线圈的成长机理分析
- 由于碳纳米线圈(CNC)独特的三维螺旋形貌及其显著的电磁和机械特性，可广泛应用于高性能电磁波吸收薄膜或涂料中，在微纳机电系统、场致电子发射等装置中也将发挥重要作用，因此CNC的高效制备、形态的控制、及其成长机理的研究受到...
- 潘路军钱娟娟李大卫
- 关键词：电磁性能场致电子发射催化剂
- 文献传递
