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黄火林

作品数：59 被引量：0H指数：0
供职机构：大连理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 23篇电极
  • 20篇感器
  • 20篇半导体
  • 20篇传感
  • 20篇传感器
  • 17篇HEMT器件
  • 16篇势垒
  • 13篇势垒层
  • 12篇磁场
  • 11篇电阻
  • 11篇沟道
  • 11篇二维电子
  • 11篇二维电子气
  • 10篇异质结
  • 9篇导通
  • 9篇导通电阻
  • 9篇衬底
  • 8篇三维磁场
  • 8篇欧姆接触
  • 8篇欧姆接触电极

机构

  • 59篇大连理工大学
  • 2篇大连芯冠科技...
  • 1篇华为技术有限...

作者

  • 59篇黄火林
  • 7篇胡礼中
  • 5篇夏晓川
  • 5篇梁红伟
  • 5篇杜国同
  • 4篇陶鹏程
  • 4篇黄辉
  • 4篇李大卫
  • 3篇边继明
  • 3篇孙楠
  • 3篇刘艳红
  • 2篇马松
  • 2篇陈景
  • 2篇覃开蓉
  • 2篇孙希明
  • 1篇张丽
  • 1篇沈涵
  • 1篇王虎

年份

  • 6篇2024
  • 8篇2023
  • 3篇2022
  • 10篇2021
  • 8篇2020
  • 6篇2019
  • 12篇2018
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有三明治栅极介质结构的HEMT器件
本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种具有三明治栅极介质结构的HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的GaN层；位于GaN层上的势垒层、源电极和漏电极，势垒层背离GaN层的一侧具有凹槽...
黄火林
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一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件
本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二...
黄火林
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十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法
十字交叉型高温三维霍尔传感器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：X柱、Y柱、Z柱均为第三代半导体材料，X柱、Y柱、Z柱两两互相垂直连接，Z柱两端分别设置电极C1和电极C2，Y柱两侧分别设置电极C3和电极C4，...
黄火林马凯鸣
适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法
本发明是关于一种适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法，属于三维霍尔传感器领域。技术方案：5个主电极和8个霍尔感测电极置于半导体材料表面，5个主电极包括1个中心电流流入电极B和4个电流流出电极B<Sub>X...
黄火林曹亚庆孙仲豪李飞雨
一种低背景噪声颗粒物检测仪
一种低背景噪声颗粒物检测仪，包括光源、光电探测器、光学透镜、外加磁场和黑色样品池。黑色样品池的内表面呈黑色用以吸收激发光，其材质为不透光且不产生荧光的材料；黑色样品池的侧壁具有多个相互垂直的小孔通道，分别与光源和光电探测...
黄辉蔡伟成李兆林马松孙希明黄火林陈景
一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法
本发明公开了一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法。本发明通过设计电极线布局、测量以及计算的方式获得电极有效宽度数值，从而在有效节省电极布局空间的同时保证芯片电极间饱和电流大小不受影响。本发明引入衡量因子k(＝R<Su...
黄火林孙仲豪李飞雨曹亚庆胡礼中
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半纵向型欧姆接触电极及其制作方法
一种半纵向型欧姆接触电极及其制作方法，属于半导体器件制作领域。技术要点是：包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向上呈台阶型。有益效果是:本发明所述的半纵向型欧姆接触电极及其制作方法增加了...
黄火林孙仲豪
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基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法
基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列...
黄火林左青源刘艳红代建勋李大卫
氟化异质结势垒层的半导体磁场传感器
本分案申请公开了一种氟化异质结势垒层的半导体磁场传感器，属于半导体传感器领域。技术要点是：在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，主电极C<Sub>1</Sub>和C<Sub>2</Sub>关于C<Sub>0</S...
黄火林
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具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法
一种具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件领域。技术要点是，在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN漂移层、极化结、i‑GaN沟道层和AlGaN主势垒层，所述极化结是由AlGaN背势垒...
孙仲豪黄火林
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