曾庆明
- 作品数：26 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaN/GaN HEMT器件研究
- 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。
- 曾庆明吕长志刘伟吉李献杰
- 关键词：宽禁带半导体半导体材料
- 文献传递
- 高速InP/InGaAs雪崩光电二极管
- 采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZnp型欧姆接触、AuGeNin型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP...
- 曾庆明李献杰蒲云章乔树允
- 关键词：雪崩光电二极管INP/INGAAS光电探测器欧姆接触
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- 量子线场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
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- 铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
- 本发明公开了一种铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法，它涉及半导体光电器件制造的扩散工艺。它采用开管式扩散石英管结构，通入氮气和氢气保护气体，将锌扩散源和半导体片装入石墨扩散舟中，在扩散炉中常压下进行高温扩散，完成半导体...
- 曾庆明李献杰乔树允王全树
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- GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
- 叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式，设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
- 曾庆明徐晓春刘伟吉
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路
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- 单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法
- 本发明公开了一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法，属于光电探测器领域，它包括衬底，其紫外敏感薄膜结构与红外敏感薄膜结构集成在同一衬底材料上，从衬底向上依次为缓冲层、紫外敏感层、隔离层、红外探测结构；本发明在...
- 李献杰赵永林蔡道民齐丽芳曾庆明李言荣吴传贵张万里
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- 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
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- 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
- 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT外延材料结构上，利用Zn扩散工艺将HBT发射极区N型材料转变为P型材料，使其成为波导光探测器的上包层，同时实现PN结功能...
- 蔡道民李献杰赵永林齐丽芳曾庆明尹顺正
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- 高速InGaAs光电探测器芯片
- 曾庆明李献杰乔树允等
- 该课题对正面进光结构InP/InGaAsPIN光电探测器芯片进行了全面、系统的研究，开发了开管扩散工艺方法；设计了双层增透膜，提高了光响应度；采用了电镀加厚焊接电极；实现了低阻P型欧姆接触。该研究达国际先进水平。
- 关键词：
- 关键词：INGAAS光电探测器芯片
- 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
- 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT外延材料结构上，利用Zn扩散工艺将HBT发射极区N型材料转变为P型材料，使其成为波导光探测器的上包层，同时实现PN结功能...
- 蔡道民李献杰赵永林齐丽芳曾庆明尹顺正
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