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刘晓兰

作品数：50 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十四研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇基板
  • 10篇基片
  • 10篇光刻
  • 10篇硅基
  • 10篇毫米波
  • 8篇通信
  • 8篇牺牲层
  • 8篇硅基片
  • 7篇LCP
  • 6篇电路
  • 6篇填孔
  • 6篇毫米波通信
  • 6篇LTCC
  • 5篇平坦化
  • 5篇腔体
  • 5篇光刻胶
  • 5篇薄膜电路
  • 4篇射频
  • 4篇射频单元
  • 4篇微波通信

机构

  • 50篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇北京航天控制...

作者

  • 50篇刘晓兰
  • 47篇徐亚新
  • 40篇赵飞
  • 36篇梁广华
  • 30篇党元兰
  • 22篇唐小平
  • 22篇王康
  • 16篇严英占
  • 14篇卢会湘
  • 12篇陈雨
  • 9篇贾世旺
  • 3篇刘颖
  • 2篇肖垣明
  • 2篇董自强
  • 2篇王志成
  • 2篇张莹
  • 1篇韩磊
  • 1篇王志刚
  • 1篇朱政强

传媒

  • 4篇电子工艺技术
  • 3篇电子与封装

年份

  • 5篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 7篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于TSV技术和LTCC技术的开关矩阵的制造方法
本发明公开了一种基于TSV技术和LTCC技术的开关矩阵的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元；基于LTCC技术在生瓷片上，通过冲孔、填孔...
赵飞党元兰韩威徐亚新梁广华刘晓兰
文献传递
基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法
本发明公开了一种基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元。本发明所述的开关矩阵射频单元，具有集成度高、损耗小...
赵飞党元兰韩威徐亚新梁广华刘晓兰
一种高厚度LTCC基板的叠片方法
本发明公开了一种高厚度LTCC基板的叠片方法，属于LTCC基板先进制造领域。本发明包括排版打孔、印刷、第一次预叠压、第二次叠压、烧结等步骤。本发明采取带膜工艺方式以及分组二次多梯度叠压方式，可以减缓不同层生瓷片叠片受力次...
卢会湘唐小平王康赵飞李攀峰严英占刘晓兰徐亚新
一种具有大面积侧壁金属图形的薄膜电路及其制备方法
本发明公开了一种具有大面积侧壁金属图形的薄膜电路及其制备方法，属于薄膜电路技术领域。该方法包括制作腔体外形标记、制作正面金属化图形、对基片正面进行两层保护、开腔、从背面向上进行金属溅射并电镀加厚、去胶、划切等步骤，制备出...
赵飞王志成贾世旺徐亚新刘晓兰梁广华严英占卢会湘唐小平王康杨宗亮王杰段龙帆
文献传递
一种基于石英基板的功分器制备研究被引量：1
2018年
石英基板在高频毫米波太赫兹频段具有介电常数低和损耗低等优点,但是石英基板电路尤其是薄石英基板电路的加工难度较大。利用薄膜电路加工技术在石英基板上加工出一款分路器。通过对石英基板威尔金森功分器的研究和制备,分析并解决了含电阻石英薄膜电路基板加工中电阻图形化、电阻退火热处理和划切工艺的难点,并提出了一些新的方法,对石英基板在高频微波电路领域的应用具有较好的借鉴意义。
梁广华贾世旺兰宝岩赵飞徐亚新龚孟磊刘晓兰
关键词：薄膜电路功分器
LCP基RF MEMS开关的工艺研究被引量：1
2016年
在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RF MEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RF MEMS开关样件频率≤20 GHz、插入损耗≤0.5 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压30~50 V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。
党元兰赵飞韩磊徐亚新梁广华刘晓兰陈雨庄治学
关键词：MEMS开关
基于IPD技术的LC滤波器制备工艺
2024年
介质层制备工艺是基于IPD技术的LC滤波器制备的关键工艺。从介质层的制备流程入手,研究了影响PI介质层质量的匀胶、曝光、固化三个关键工艺因素,确定了LC滤波器中介质层的制备工艺参数,实现了厚度8μm、厚度均匀性优于5%、最小互连孔径25μm的介质层制备。按此工艺参数加工,得到LC滤波器样件,经性能测试,所制备LC滤波器的电学性能满足设计指标要求。
徐亚新梁广华庄治学龚孟磊刘晓兰周拥华王康
关键词：LC滤波器介质层
一种低损耗石英探针的制备方法
本发明公开了一种低损耗石英探针的制备方法，其特征在于在双面抛光的石英基片上，通过磁控溅射、光刻、电镀、刻蚀、划片等工艺，获得低损耗、一致性好的石英探针。本发明所述的石英探针，具有硬度高、损耗低、精度高的优点。该方法加工一...
赵飞党元兰梁广华刘晓兰刘巍巍杨宗亮唐小平朱二涛严英占王康徐亚新
基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究被引量：3
2015年
针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。
刘晓兰刘晓兰朱政强党元兰
关键词：体硅工艺ICP刻蚀
一种毫米波RF MEMS开关的制备方法
本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种毫米波RF MEMS开关的制备方法，主要包括高阻硅片表面多晶硅及二氧化硅的生长、硅片清洗、CPW图形制作、RF传输线上氮化硅绝缘层的制作、RF传输线氮化硅绝缘层上导体层的制作、...
党元兰赵飞梁广华刘晓兰徐亚新董自强唐小平朱二涛杨宗亮严英占王康
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