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赵权
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35
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中国电子科技集团公司
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电子电信
金属学及工艺
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合作作者
杨洪星
中国电子科技集团公司
张伟才
中国电子科技集团公司
刘春香
中国电子科技集团公司
韩焕鹏
中国电子科技集团公司
杨静
中国电子科技集团公司
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一种变R值晶片边缘倒角方法
本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法,步骤为首先进行砂轮设计,针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R值的砂轮,其余槽可以根据需要进行设计;其次将砂轮安装到全自动倒角机上;再次进行边缘初步成型是使用半径为R1的槽对晶片进行...
杨洪星
刘玉岭
范红娜
韩焕鹏
何远东
陈晨
陶术鹤
赵权
杨静
文献传递
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺,这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤,各抛光步骤均使用同一种抛光布,不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液,依靠各抛光步骤之间以及各项工艺...
陈晨
杨洪星
索开南
李聪
庞炳远
杨静
王雄龙
张伟才
赵权
文献传递
半导体照明工程用VB-GaAs衬底材料
牛沈军
李仕福
兰天平
王建利
周传新
林健
赵权
刘春香
在现有技术平台上,通过该项目的研究,解决了光电器件用VB-GaAs衬底材料生产中的瓶颈技术的重复性可控技术,诸如:热场设计、控制调试技术,引晶技术,成晶技术,载流子浓度控制技术,抛光片“Epi-Ready”技术等的重复可...
关键词:
关键词:
照明工程
一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法,该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水;以体积百分比计算,所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为(4-6):(1-3):(1-2)。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法,...
林健
赵权
刘春香
吕菲
杨洪星
于妍
佟丽英
文献传递
一种铌酸锂基片的黑化方法
本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成,铌酸锂基片的黑化步骤为:1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物;2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中;3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中...
王雄龙
杨洪星
范红娜
杨静
韩焕鹏
陈晨
赵权
高丹
文献传递
一种制作异形硅单晶抛光片的方法
本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法,包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清洗等步骤。先通过硅单晶生长以及加工制备出硅抛光片,将硅片贴膜后,使用激光划片机根据异形硅抛光片的形状、尺寸要求进行划片。...
陈晨
杨洪星
韩焕鹏
庞炳远
何远东
范红娜
杨静
张伟才
赵权
文献传递
一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
本发明公开了一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法,该加工方法包括磨削、贴膜、去膜、化学腐蚀等步骤,首先对锗单晶片的背面顺磨磨削减薄,然后背面贴膜对正面进行逆磨磨削减薄,通过紫外灯照射去膜,最后对锗单晶片进行化学腐蚀处理,即得...
何远东
韩焕鹏
王雄龙
张伟才
赵权
杨洪星
陈晨
杨静
李明佳
文献传递
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120~150μm,半角度18~22°,深度1000±100μm,金刚石粒度600~1000#;精倒角槽直径比晶片厚度小160~180...
张伟才
陶术鹤
陈建跃
康洪亮
赵权
文献传递
一种锗单晶片的单面研磨方法
本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法,包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤,首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片;通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片;通过加...
何远东
杨洪星
刘玉岭
赵权
武永超
韩焕鹏
陈晨
一种锗单晶抛光片的清洗方法
本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法。本方法采用锗单晶抛光片清洗液对锗单晶抛光片进行清洗,清洗过程分为浸泡清洗、溢流清洗以及快排冲洗三个步骤,锗单晶抛光片清洗液是由氢氟酸溶液、氧化剂溶液、去离子水三种成分组成的混合溶液...
杨洪星
陈晨
赵权
刘春香
王云彪
耿莉
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