李强
- 作品数：14 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术建筑科学更多>>
- 玻纤布增强核壳颗粒SiO2@(1,2-PB/EPDM)填充聚烯烃复合材料性能的研究
- 2024年
- 文章探究了核壳颗粒SiO2@(1,2-PB/EPDM)填充,对聚烯烃复合材料性能的影响。采用酸性活化、硅烷偶联剂KH-570改性和沉淀聚合制备核壳颗粒SiO2@(1,2-PB/EPDM)。将核壳颗粒加入聚烯烃树脂中,搅拌分散均匀。将玻纤布浸入复合胶液,经烘干叠层热压后,制备玻纤布增强核壳颗粒SiO2@(1,2-PB/EPDM)填充的聚烯烃复合材料,研究不同壳层厚度对复合材料力学性能、介电性能和吸水率的影响。结果表明:随着核壳颗粒聚合物壳层厚度的增加,复合材料的抗弯强度和抗弯模量随之增大,介电常数、损耗因子和吸水率随之降低。当聚合物壳层厚度为60 nm时,聚烯烃复合材料的介电常数为3.44,损耗因子为3.46×10^(-3),吸水率为0.064%,抗弯强度为178.7 MPa,抗弯模量为16.57 GPa,可满足微波基板材料的使用要求。
- 张伟冯春明李强王浩栋
- 关键词：玻纤布聚烯烃介电性能
- 聚酰亚胺纤维对PTFE基板介电和热膨胀性能的影响
- 2023年
- 采用不同平均长度和质量分数的聚酰亚胺(PI)纤维,用压延方法制备聚四氟乙烯(PTFE)基板,研究PI纤维对PTFE基板介电和热膨胀性能的影响。结果表明,随PI纤维质量分数的提高,PTFE基板介电常数呈现升高的趋势,而介电常数随PI纤维平均长度的变化并不明显。随PI纤维质量分数的提高,PTFE基板厚度方向(Z轴方向)的热膨胀系数(Z-CTE)呈现降低的趋势,当质量分数达到9%以上时,Z-CTE趋于稳定。随PI纤维平均长度的升高,Z-CTE呈下降趋势,PI纤维平均长度超过80μm时,Z-CTE反而上升。在介电常数2.20,Z-CTE越小越好的要求下,通过响应曲面设计,找到最佳理论配方。基于该配方,制备PI纤维质量分数为7.36%、平均长度为68μm的PTFE基板样品,测试介电常数和Z-CTE,结果分别为2.2015和234.5×10^(-6)K^(-1),与理论模型计算相符。
- 贾倩倩冯春明张立欣李强王军山
- 关键词：聚酰亚胺纤维平均长度纤维含量
- 超低介PTFE基介质基板配方设计及基板性能
- 2022年
- 针对超低介PTFE基介质基板配方工艺不稳定、基板介电常数高等问题,提出不同直径、不同铝硅原子比和不同填加比例空心球对基板介电性能等因素的影响探究方案。对不同直径和不同球壳厚度空心球对介电常数的影响进行了模拟,基于模拟结果进行了PTFE基空心球复合介质基板的制备,并对相关性能进行测试。实验结果显示:当空心球直径为80μm、球壳厚度为2.5μm、铝硅原子比为2∶1、填加比例为35%时,制备的基板介电常数为2.0,介质损耗为0.0027,Z轴热膨胀系数为38.8×10^(-6)/℃,吸水率为0.025%,为性能优良的超低介PTFE基复合介质基板材料。
- 武聪李强张立欣贾倩倩
- 关键词：空心球PTFE介电性能
- 衬底偏角对GaN HVPE外延生长的影响
- 本文主要研究了GaN HVPE(hydride vapoar phase epitaxy)外延生长过程中,蓝宝石衬底偏角对外延片表面形貌、弯曲度及晶体质量的影响。本次研究中GaN HVPE外延生长条件相同,而使用的c面蓝...
- 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 文献传递
- FEP含量对PTFE/SiO_(2)复合薄膜性能的影响
- 2023年
- 将不同添加量的聚全氟异丙烯(FEP)加入到聚四氟乙烯(PTFE)中,用涂覆结合高温烧结工艺制备PTFE/二氧化硅(SiO_(2))复合薄膜,研究不同添加量的FEP对PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观形貌、密度、介电性能和力学性能的影响。结果表明,随FEP添加量的提高,PTFE/SiO_(2)复合薄膜的密度、介电常数和拉伸强度呈现先升高后下降的趋势,介电损耗因子呈现先下降后升高的趋势,断裂伸长率呈现逐渐下降的趋势。当PTFE:FEP的质量比为90∶10时,PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观缺陷最少,具有最高的密度、介电常数和拉伸强度,以及最低的介电损耗因子,其密度为2.084 g/cm3,厚度为53.4μm,介电常数为2.391 6,介电损耗因子为0.001 64,拉伸强度为9.85 MPa,断裂伸长率为18.42%。
- 韩桂云冯春明李强韩伏龙金霞
- 关键词：介电性能断裂伸长率
- GaN HVPE生长基座优化研究
- 本论文采用计算机模拟技术,研究了氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中石墨基座上的温度分布情况并对基座结构进行了优化。在竖直HVPE电阻丝加热炉内。由于热辐射和热传导及对流的影响,蓝宝石衬底上温度分布不均匀,进而影响...
- 程红娟徐永宽李强杨丹丹张嵩
- 关键词：氮化镓晶体生长氢化物气相外延
- 文献传递
- 短玻纤增强PTFE基板的制备被引量：3
- 2022年
- 针对玻璃纤维(GF)布浸渍聚四氟乙烯(PTFE)乳液上胶量不高的情况,采用在GF纸表面涂覆PTFE乳液的工艺制备短GF增强PTFE半固化片。研究了不同定量GF纸的孔隙结构及其对PTFE乳液上胶量的影响。根据目标介电性能选取一种半固化片进行压板实验,测试并分析了该基板的实际介电性能。结果表明,通过调整GF纸的定量可以显著改变GF纸的孔隙结构;GF纸的上胶量与其透气度和孔径大小紧密相关。随着GF纸的定量从20 g/m^(2)增加到60 g/m^(2),透气度从110 mm/s降低至33 mm/s(平均孔径从4.07μm减小至2.35μm),上胶量从93.98%减小至91.31%,制备半固化片的定量从355 g/m^(2)增加到692 g/m^(2)。扫描电子显微镜图显示最高上胶量的半固化片中纤维/树脂分布均匀,表面不存在过量的PTFE层。此半固化片叠层压板后测得10 GHz的介电常数为2.17,介质损耗为9.5×10^(-4),介电常数偏低、损耗偏高。后续拟通过调整GF纸的定量,制备GF质量分数满足要求的半固化片,提高基板的介电常数;并通过对玻璃棉进行除渣且使用去离子水抄纸,减少基板中杂质的含量以进一步降低基板的介质损耗。
- 梁梦微翁孝宇彭龙李强张立欣冯春明龙金
- 关键词：聚四氟乙烯透气度孔径上胶量介电性能
- 层压缓冲垫对PTFE介质基板性能的影响
- 2022年
- 在短玻璃纤维(GF)和陶瓷粉增强聚四氟乙烯(PTFE)介质基板的真空层压过程中,缓冲垫起到非常重要的作用。采用1,2,4 mm和6 mm 4种厚度,GF和陶瓷纤维两种材质的缓冲垫,研究其对PTFE介质基板厚度和介电均匀性的影响。以料温线测试、铅条测试、感压纸测试3种手段表征不同缓冲垫条件下介质基板受到的温度和压力均匀性,分析了基板厚度和介电均匀性的影响机理。结果表明,陶瓷纤维的硬度高于GF,其制备的缓冲垫对压力的缓冲和温度的传导效果最好。当缓冲垫厚度过薄时,起不到很好的缓冲效果,厚度过厚时,将会导致温度和压力的均匀性变差。最终得到性能最优的缓冲垫为厚度为4 mm的陶瓷纤维缓冲垫。该条件下,层压机料温均值为379℃,极差4.91℃,基板厚度均值为0.51 mm,极差0.035 mm,介电常数为2.9426,介电常数极差0.025,保证了微波介质基板的性能符合要求。
- 郭晓光贾倩倩张立欣金霞李强
- 关键词：聚四氟乙烯厚度介电常数
- 空心球陶瓷粉填充PTFE基复合基板的制备及性能被引量：4
- 2021年
- 为制备低介电常数低损耗微波复合介质基板材料,采用压延工艺,以空心球陶瓷粉为填料制备了聚四氟乙烯(PTFE)基复合基板,系统研究了空心陶瓷粉含量对PTFE基复合基板微观结构和综合性能的影响。结果表明,随空心球陶瓷粉含量的增加,PTFE基复合基板材料断面形貌出现空心球破碎的现象,相对密度逐渐降低,介电常数和介电损耗先降低后升高,吸水率逐渐升高,抗剥离强度呈现下降趋势。当空心球陶瓷粉质量分数为31.3%时,空心结构完整,PTFE基复合基板介质层的密度为1.302 g/cm^3;相对介电常数和介电损耗均最小,分别为1.9659和6.06×10^-4;吸水率为0.2%,抗剥离强度为2.725 N/mm。
- 贾倩倩赖占平李强张立欣魏西
- 关键词：聚四氟乙烯介电性能
- 高功率光纤激光器关键技术及进展被引量：1
- 2015年
- 光纤激光器凭借其优良特性,在光纤通信、传感、工业加工、国防和军事等领域得到了广泛应用。分别论述了增益光纤技术、泵浦耦合技术、激光模式控制技术和光束合成技术等四大高功率光纤激光器关键技术的研究进展情况,并在总结、分析的基础上,展望了部分关键技术的发展趋势。
- 黄榜才李宝珠李强梁小红
- 关键词：光纤激光器高功率
