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王利杰

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇晶体
  • 5篇晶体生长
  • 4篇单晶
  • 4篇硅单晶
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇籽晶
  • 3篇晶体生长过程
  • 3篇感应线圈
  • 2篇单晶生长
  • 2篇碳化钽
  • 2篇逆转
  • 2篇气相法
  • 2篇温度梯度
  • 2篇降压
  • 1篇单晶材料
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇低应力
  • 1篇低阻
  • 1篇压力控制

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇王利杰
  • 4篇王香泉
  • 4篇张丽
  • 4篇洪颖
  • 4篇齐海涛
  • 3篇郭俊敏
  • 3篇郝建民
  • 2篇冯玢
  • 2篇严如岳
  • 1篇何秀坤
  • 1篇洪颖
  • 1篇高飞
  • 1篇李晖
  • 1篇郝建民

传媒

  • 1篇中国电子科学...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 4篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
气相法晶体生长压力系统的模糊自适应控制方法
本发明涉及一种气相法晶体生长压力系统的模糊自适应控制方法，控压仪表通过压力传感器将获得的真空腔室内的压力值通过Modbus通讯传送给PLC模块，PLC数据经TCP通讯在上位机做压力数据的显示，上位机根据工艺人员设定的目标...
于凯刘金鑫徐永宽程红娟王利杰
文献传递
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制被引量：1
2011年
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。
王利杰洪颖齐海涛冯玢王香泉郝建民严如岳
关键词：氮掺杂
一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统，包括：真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀；进一步地，所述提纯及压力控制系统还包括：布置在机械泵与真空室间的压力控制系统，所述压力控制系...
王利杰郝建民王香泉孟大磊洪颖郭俊敏
文献传递
一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法
本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜；设定压力为900‑1000mbar，当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时，将感应线圈提升至籽晶区域，使得籽...
李璐杰王利杰徐永宽程红娟齐海涛张丽
文献传递
一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法
本发明公开了一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法。使用碳化硅单晶薄膜做衬底；使用光刻方式在SiC籽晶背面制作网状槽，槽深小于薄膜厚度；在SiC籽晶背部采用磁控溅射工艺蒸镀一层碳化钽薄膜，用来保护籽晶背部SiC成分在高温条...
李璐杰王利杰张丽孙科伟
文献传递
一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺
本发明公开了一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺。双温区法晶体生长装置上部为低温区，具有杯状夹层结构；下部为高温区，呈球瓶形；上下温区间通过直管连接，并配有隔热挡板。过量的DAST源粉在下部高温区形成高温饱和溶...
庞子博王添依刘金鑫孟大磊徐永宽王利杰武聪
文献传递
一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置
本实用新型涉及一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置，该装置包括，石墨坩埚，石墨坩埚的顶端和底端开口，石墨坩埚内部放置石墨支架，石墨支架有定位的卡槽，石墨片放置在卡槽内固定，石墨坩埚的外侧包裹保温层，保温层置于与下法兰连接的...
张丽赖占平齐海涛徐永宽王利杰程红娟洪颖史月增张志欣
文献传递
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发
郝建民严如岳冯玢王利杰何秀坤王香泉孟大磊郭俊敏
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发项目，来自于2008年天津市科技支撑计划重大项目专项，是由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担的，项目负责人为郝建民。该项目在两年的执行期内投资了1295万元，重点针对如何提高...
关键词：
关键词：抛光片显示器件
一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法
本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜；设定压力为900‑1000mbar，当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时，将感应线圈提升至籽晶区域，使得籽...
李璐杰王利杰徐永宽程红娟齐海涛张丽
文献传递
大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法
本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法，针对于动态气氛的大流量特性，采用了电控碟阀，实现压力控制的快速性。此外，针对传统的PID控制模式，在上位机控制系统中，将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数...
于凯陈建丽洪颖窦英张皓高飞郭森李晖王利杰
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