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王利杰
作品数:
11
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
齐海涛
中国电子科技集团公司
王香泉
中国电子科技集团公司
洪颖
中国电子科技集团公司
张丽
中国电子科技集团公司
郝建民
中国电子科技集团公司
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王利杰
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郝建民
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气相法晶体生长压力系统的模糊自适应控制方法
本发明涉及一种气相法晶体生长压力系统的模糊自适应控制方法,控压仪表通过压力传感器将获得的真空腔室内的压力值通过Modbus通讯传送给PLC模块,PLC数据经TCP通讯在上位机做压力数据的显示,上位机根据工艺人员设定的目标...
于凯
刘金鑫
徐永宽
程红娟
王利杰
文献传递
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制
被引量:1
2011年
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。
王利杰
洪颖
齐海涛
冯玢
王香泉
郝建民
严如岳
关键词:
氮掺杂
一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统
本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统,包括:真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀;进一步地,所述提纯及压力控制系统还包括:布置在机械泵与真空室间的压力控制系统,所述压力控制系...
王利杰
郝建民
王香泉
孟大磊
洪颖
郭俊敏
文献传递
一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法
本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜;设定压力为900‑1000mbar,当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时,将感应线圈提升至籽晶区域,使得籽...
李璐杰
王利杰
徐永宽
程红娟
齐海涛
张丽
文献传递
一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法
本发明公开了一种大尺寸高质量氮化铝单晶的生长方法。使用碳化硅单晶薄膜做衬底;使用光刻方式在SiC籽晶背面制作网状槽,槽深小于薄膜厚度;在SiC籽晶背部采用磁控溅射工艺蒸镀一层碳化钽薄膜,用来保护籽晶背部SiC成分在高温条...
李璐杰
王利杰
张丽
孙科伟
文献传递
一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺
本发明公开了一种双温区法晶体生长装置及DAST晶体生长工艺。双温区法晶体生长装置上部为低温区,具有杯状夹层结构;下部为高温区,呈球瓶形;上下温区间通过直管连接,并配有隔热挡板。过量的DAST源粉在下部高温区形成高温饱和溶...
庞子博
王添依
刘金鑫
孟大磊
徐永宽
王利杰
武聪
文献传递
一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置
本实用新型涉及一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置,该装置包括,石墨坩埚,石墨坩埚的顶端和底端开口,石墨坩埚内部放置石墨支架,石墨支架有定位的卡槽,石墨片放置在卡槽内固定,石墨坩埚的外侧包裹保温层,保温层置于与下法兰连接的...
张丽
赖占平
齐海涛
徐永宽
王利杰
程红娟
洪颖
史月增
张志欣
文献传递
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发
郝建民
严如岳
冯玢
王利杰
何秀坤
王香泉
孟大磊
郭俊敏
显示器件用低阻碳化硅单晶材料产业化技术开发项目,来自于2008年天津市科技支撑计划重大项目专项,是由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担的,项目负责人为郝建民。该项目在两年的执行期内投资了1295万元,重点针对如何提高...
关键词:
关键词:
抛光片
显示器件
一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法
本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜;设定压力为900‑1000mbar,当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时,将感应线圈提升至籽晶区域,使得籽...
李璐杰
王利杰
徐永宽
程红娟
齐海涛
张丽
文献传递
大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法
本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法,针对于动态气氛的大流量特性,采用了电控碟阀,实现压力控制的快速性。此外,针对传统的PID控制模式,在上位机控制系统中,将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数...
于凯
陈建丽
洪颖
窦英
张皓
高飞
郭森
李晖
王利杰
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