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齐海涛

作品数:31 被引量:7H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 7篇标准
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇单晶
  • 8篇坩埚
  • 7篇氮化
  • 7篇籽晶
  • 7篇晶片
  • 6篇单晶片
  • 6篇
  • 5篇氮化铝
  • 4篇单晶生长
  • 4篇晶体
  • 4篇腐蚀性
  • 3篇碳化钽
  • 3篇籽晶生长
  • 3篇晶体生长
  • 3篇N型
  • 3篇N-
  • 2篇单晶材料
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮气
  • 2篇氮气压力

机构

  • 31篇中国电子科技...

作者

  • 31篇齐海涛
  • 15篇张丽
  • 4篇练小正
  • 4篇徐世海
  • 4篇洪颖
  • 4篇王利杰
  • 3篇高飞
  • 3篇李晖
  • 2篇王健
  • 1篇王香泉
  • 1篇冯玢
  • 1篇严如岳
  • 1篇洪颖
  • 1篇郝建民

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 1篇2019
  • 12篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法
本发明涉及一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。该粘结剂按重量百分比组成:氮化铝为30~50%、铝为10~30%、异丙醇为10~20%和去离子水为0~50%。制备方法是:按重量百分比称取氮化铝、铝粉、异丙醇...
张丽齐海涛史月增程红娟徐永宽
文献传递
GaN-N型低阻氮化镓单晶片规范
本规范规定了GaN-N型低阻氮化嫁单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等。本规范适用于GaN-N型低阻氮化镓单晶片(以下简称氮化镓单晶片)。
王再恩张嵩杨丹丹齐海涛洪颖程红娟李晖高飞郑风振徐永宽
CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范
本规范规定了CdS-N-T型红外/紫外双色探测用镉化福单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等。本规范适用于CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片(以下简称硫化镉晶片)。
张颖武程红娟齐海涛杨丹丹徐世海窦瑛郑风振张蔺蔺
导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶被引量:5
2018年
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。
练小正张胜男程红娟齐海涛金雷徐永宽
关键词:宽带隙半导体晶体生长透过率
CdSe-N-T01型红外固体激光器用硒化镉单晶材料规范
本规范规定了CdSe-N-TO1型红外固体激光器用硒化镉单晶材料的要求、质量保证规定、交货准备等。本规范适用于CdSe-N-TO1型红外固体激光器用硒化镉单晶材料(以下简称硒化镉单晶材料)。
王健张颖武杨丹丹李晖张海磊徐世海齐海涛郑风振
一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法
本发明涉及单晶的生长方法,特别是涉及一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法。该方法依照下列步骤进行:(A)装炉、脱气、充氮气、升温;(B)三维模式生长;(C)二维模式生长;(D)顺序重复(B)步骤和(C)步骤;(E...
齐海涛
文献传递
一种快速区分氮化铝体单晶极性面的方法与装置
本发明公开了一种快速区分氮化铝体单晶极性面的方法及装置,将氮化铝晶片A极性面向上平放在铜片上;用表笔探针对氮化铝晶片的A极性面施加外力;电荷信号通过电荷放大器中的输入端输入到电荷放大器内,并通过输出端输出电压信号并显示在...
赖占平张丽齐海涛程红娟李宝珠王增华闫锋张飞洋陈建丽史月增
文献传递
一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法
本发明公开了一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法。该方法依照以下步骤进行:(A)石墨加热器预处理;(B)金属箔预处理;(C)金属箔贴附;(D)高温热处理。采取本方法可以将石墨加热器完美转化成金属碳化物-石墨复合材质石墨...
齐海涛张丽史月增孟大磊窦瑛张皓张政徐所成赖占平
文献传递
3英寸高纯半绝缘6H-SiC单晶的研制被引量:1
2011年
采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。
王利杰洪颖齐海涛冯玢王香泉郝建民严如岳
关键词:氮掺杂
一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法
本发明涉及单晶的生长方法,特别是涉及一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法。该方法依照下列步骤进行:(A)装炉、脱气、充氮气、升温;(B)三维模式生长;(C)二维模式生长;(D)顺序重复(B)步骤和(C)步骤;(E...
齐海涛
文献传递
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