王超 作品数:8 被引量:4 H指数:2 供职机构: 吉林建筑工程学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 吉林省教育厅科研项目 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法 本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法,属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极,实现了沟道长度为L,沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区,两侧... 杨小天 王超 任伟 赵春雷 唐巍 郝志文 陈伟利 杜国同 卢毅成 荆海 曹健林 付国柱文献传递 化学水浴法制备Ni(OH)2纳米结构及电化学性能研究 2013年 采用化学水浴法通过简单的合成体系制备了β-Ni(OH)2纳米盘,并直接获得工作电极.利用XRD和SEM对产品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明所制备的Ni(OH)2电极在2mol/L KOH溶液中2.5A/g的放电电流密度下,比容量达1 679F/g. 吕卅 王超 杨小天关键词:NI(OH)2 电极材料 超级电容器 Ni(OH)_2和NiO电极材料的原位制备与性能的研究 2013年 采用原位水热生长法在泡沫镍基底上制备了β-Ni(OH)2纳米盘并通过煅烧获得NiO,均可以直接作为工作电极。利用XRD和SEM对样品进行了表征,并进行了电化学性能测试,结果表明我们所制备的Ni(OH)2电极在2 M KOH溶液中2.5 A/g的放电电流密度下,比容量达1495 F/g,通过煅烧得到的NiO,同样可以作为电极材料。 吕卅 王超 杨小天关键词:NI(OH)2 NIO 电极材料 新型有源薄膜晶体管的研制 杨小天 王超 赵春雷 唐巍 马仙梅 荆海 杜国同 (1)课题来源与背景: 目前,日本东北大学已成功制备出p-ZnO材料,并在材料基础上成功制备出发光器件。日本Rohm公司为大幅度降低LED的制造成本(目标为目前的10分之1),积极从组件材料着手,已经与东北大学共同合作...关键词:关键词:氧化锌 晶体管 氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文) 被引量:2 2008年 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。 马仙梅 杨小天 朱慧超 王超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 付国柱 荆海 马凯 常遇春 杜国同关键词:氧化锌 薄膜晶体管 MOCVD 氧化锌基薄膜晶体管制备与研究 被引量:2 2008年 以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)成功运作目的。ZnO-TFT的电流开关(on/off)比达到104以上。ZnO-TFT在可见光区平均光透过率大约为80 %。以上表明利用ZnO替代传统Si材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的。 杨小天 马仙梅 朱慧超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 董秀茹 付国柱 荆海 王超 常遇春 杜国同 曹健林关键词:氧化锌 薄膜晶体管 MOCVD 一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法 本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法,属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极,实现了沟道长度为L,沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区,两侧... 杨小天 王超 任伟 赵春雷 唐巍 郝志文 陈伟利 杜国同 卢毅成 荆海 曹健林 付国柱文献传递 氧化锌薄膜晶体管的制备与研究 ZnO作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又一热门研究课题。可用于制备表面声波器件、太阳能电池、... 王超关键词:ZNO MOCVD 射频磁控溅射 薄膜晶体管 文献传递