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20 条 记 录,以下是 1-10
兰天平
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晏凤
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GAAS 合成技术 多晶 铟 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赖占平
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 GAAS单晶 半绝缘砷化镓 集成电路 SI-GAAS材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨连生
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GAAS 合成技术 多晶 铟 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐德格
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 SI-GAAS材料 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑞良
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:半绝缘 半导体物理学 晶片 LEC 半绝缘砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙强
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 砷化镓材料 位错密度 VGF 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑞良
供职机构:天津电子材料研究所
研究主题:半导体材料 合成工艺 单晶生长 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹志颖
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GAAS单晶 VGF VB 半绝缘 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张亮
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:碳 硼 晶体 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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