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罗静

作品数：45 被引量：16H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
周昕杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 版图 抗辐射 EEPROM 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛忠杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 MOS管 ESD保护结构 硅膜 总剂量辐射效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周毅
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：ESD保护结构 偏置 衬底 延时电路 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐睿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路结构 锁存 PROM 编程 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于宗光
供职机构：江南大学物联网工程学院
研究主题：流水线模数转换器 电荷 FPGA 电路 电荷耦合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 MOS管 总剂量辐射效应 版图设计 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高国平
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路 集成电路 电平转换电路 反相器 接反
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 SOI 总剂量 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈嘉鹏
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子效应 背栅效应 背栅 负电压 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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